[发明专利]硅锭的制造方法及制造装置无效
申请号: | 200880015497.7 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101680111A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 西尾健一;黑田昭夫;森田一树 | 申请(专利权)人: | MNK-SOG硅公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 装置 | ||
1.一种硅锭的制造方法,其特征在于,其包括:
将与硅具有共晶反应、形成硅合金时的共晶点比硅的熔点低的元素和金属硅在坩埚内加热熔化,从而生成合金熔液的工序;
在对所述合金熔液利用共晶反应低温凝固精制硅的同时,利用提拉法由所述合金熔液生成硅锭的工序。
2.如权利要求1所述的硅锭的制造方法,其特征在于,
在将所述合金熔液的液面以外的部分的液温维持在所述合金熔液不凝固的温度的同时,
将所述合金熔液的液面温度保持在与所述合金熔液中的硅浓度对应的所述合金熔液的初晶温度附近。
3.如权利要求2所述的硅锭的制造方法,其特征在于,将所述合金熔液的液面温度保持在所述共晶点与1273K附近之间的、与所述合金熔液中的硅浓度对应的所述合金熔液的初晶温度附近。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的硅锭的制造方法,其特征在于,所述元素是铝。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的硅锭的制造方法,其特征在于,所述生成合金熔液的工序和所述生成硅锭的工序在氩气气氛下进行。
6.如权利要求1~5中的任一项所述的硅锭的制造方法,其中,所述坩埚为氮化硅制。
7.一种硅锭的制造装置,其特征在于,具有:
连接有真空排气系统与气体导入系统的容器、
设置在该容器内的坩埚、
对该坩埚进行加热从而在该坩埚内生成合金熔液的加热装置、
用于将硅晶体制成硅锭的提拉装置、和
测定所述坩埚内的合金熔液的液面温度的液面温度测定装置;
所述加热装置具有对于在所述坩埚内生成的合金熔液的液面的区域和该区域以外的区域以分别独立的强度进行加热的功能;
该硅锭的制造装置并且具有对利用所述加热装置的加热进行控制的控制装置,以掌握获知所述合金熔液中的硅浓度的降低量,并且将所述合金熔液的液面温度保持在与该所掌握的所述合金熔液中的硅浓度对应的初晶温度附近。
8.如权利要求7所述的硅锭的制造装置,其特征在于,所述气体导入系统是向所述容器内导入氩气的系统。
9.如权利要求7或8所述的硅锭的制造装置,其中,所述坩埚为氮化硅制。
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