[发明专利]用于制备太阳能电池的保护层无效

专利信息
申请号: 200880015716.1 申请日: 2008-05-13
公开(公告)号: CN101681944A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: H·C·卢安;P·卡曾斯 申请(专利权)人: 太阳能公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L21/20
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 太阳能电池 保护层
【权利要求书】:

1、一种用来制备太阳能电池的方法,该方法包括:

将具有光接收表面的基材置于处理室内;

在所述处理室内,在所述基材的所述光接收表面上形成抗反射涂料层; 且不将所述基材从所述处理室中取出,

在所述抗反射涂料层上形成保护层。

2、根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层含有无定形碳。

3、根据权利要求2所述的方法,其中,所述保护层通过使用气体的气 相沉积而形成,所述气体选自由甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、以及由载 气输送的液体甲苯所组成的组中,所述载气选自由氩气、氮气、氦气和氢气 所组成的组中。

4、根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层含有非晶硅。

5、根据权利要求4所述的方法,其中,所述保护层由使用硅烷气体的 气相沉积形成。

6、根据权利要求1所述的方法,其中,形成的所述保护层的厚度约为 1-30纳米。

7、根据权利要求1所述的方法,其中,所述抗反射涂料层和所述保护 层均通过选自由化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、常压化学气相 沉积和物理气相沉积所组成的组中的技术而形成。

8、根据权利要求1所述的方法,其中,所述保护层对氧化物蚀刻缓冲 剂具有耐受性。

9、一种用来制备太阳能电池的方法,该方法包括:

提供具有光接收表面和第二表面的基材,所述第二表面具有多个活性区 域;

在处理室中,在所述基材的所述光接收表面上形成抗反射涂料层;且不 将所述基材从所述处理室中取出,

在所述抗反射涂料层上形成保护层;

使用氧化物蚀刻缓冲剂在所述基材的所述第二表面上形成直至所述多 个活性区域的多个接触口,其中,在形成所述多个接触口的过程中,所述保 护层对所述抗反射涂料层进行保护;

除去所述保护层;以及

在所述多个接触口内形成多个触点。

10、根据权利要求9所述的方法,其中,所述保护层含有无定形碳。

11、根据权利要求10所述的方法,其中,所述保护层通过使用气体的 气相沉积形成,所述气体选自由甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、以及由载 气输送的液体甲苯所组成的组中,所述载气选自由氩气、氮气、氦气和氢气 所组成的组中。

12、根据权利要求9所述的方法,其中,所述保护层含有非晶硅。

13、根据权利要求12所述的方法,其中,所述保护层由使用硅烷气体 的气相沉积形成。

14、根据权利要求9所述的方法,其中,形成的所述保护层的厚度约为 1-30纳米。

15、根据权利要求9所述的方法,其中,所述抗反射涂料层和所述保护 层均通过选自由化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、常压化学气相 沉积和物理气相沉积所组成的组中的技术而形成。

16、一种用来制备太阳能电池的方法,该方法包括:

将具有光接收表面的基材置于处理室内;

在所述处理室内,使至少第一工艺气体和第二工艺气体流动,以在所述 基材的所述光接收表面上形成抗反射涂料层;且不将所述基材从所述处理室 中取出,

使至少所述第一工艺气体而不是所述第二工艺气体在所述处理室内流 动,以在所述抗反射涂料层上形成保护层。

17、根据权利要求16所述的方法,其中,所述保护层含有非晶硅,且 其中所述抗反射涂料层含有选自由氮化硅、氮氧化硅和碳掺杂的氧化硅所组 成的组中的材料。

18、根据权利要求17所述的方法,其中,所述第一工艺气体为硅烷, 且所述第二工艺气体为氨。

19、根据权利要求16所述的方法,其中,形成的所述保护层的厚度约 为1-30纳米。

20、根据权利要求16所述的方法,其中,所述抗反射涂料层和所述保 护层均通过选自由化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、常压化学气 相沉积和物理气相沉积所组成的组中的技术而形成。

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