[发明专利]用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制

权利要求书

1.一种控制衬底表面的处理均匀性的方法，包括：

在处理用真空室中的衬底支撑件上支撑衬底；

通过所述衬底支撑件中多个气体端口向所述衬底支撑件和所述衬底之间的空间提供背部气体；

在所述气体端口中不同的气体端口处分别控制背部气体压强，以在各个所述气体端口的周围区域中分别控制处理过程中背部气体沿着所述衬底的压强的变化或均匀性；

其中所述衬底支撑件的每个所述区域具有至少两个所述气体端口，所述气体端口包括至少一个连接到背部气体供应的背部气体进气端口、和至少一个连接到真空排气系统的排气端口，并且其中所述方法还包括：

分别动态控制至少一个阀，所述阀改变流向或流出每一个所述区域中的端口的气流，以改变处理过程中沿着衬底的温度分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

控制所述背部气体压强包括控制压强以控制所述衬底和所述衬底支撑件之间的热导率，从而改变处理过程中沿着所述衬底的温度分布。

3.根据权利要求1所述的方法还包括：

监测沿着所述衬底的参数或所述衬底，并且响应此监控而控制所述背部气体压强。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

在所述衬底支撑件上支撑所述衬底包括用静电力把衬底固定到所述支撑件上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

提供所述背部气体包括通过多个气体端口组中每一组的多个气体端口注入气体，所述多个气体端口组位于沿着所述衬底支撑件的多个区域中。

6.根据权利要求3所述的方法还包括：

根据动态改变沿着所述衬底的表面温度差的序列，分别控制通过各个所述区域中的所述气体端口的背部气流。

7.根据权利要求1所述的方法还包括：

分别控制通过多个气体端口组的所述背部气流，所述多个气体端口组位于沿着所述衬底的各个区域内，以补偿处理均匀性上的非均匀性改变的方式来改变沿着所述衬底的温度分布，所述处理均匀性的非均匀性改变是由处理室内的其他处理条件所引起的。

8.根据权利要求1所述的方法还包括：

分别控制通过多个气体端口组的所述背部气流，所述多个气体端口组位于沿着所述衬底的各个区域内，以便以补偿进入的晶片的非均匀性改变或者静电蚀刻处理的非均匀性的方式，来改变所述衬底上的温度分布。

9.根据权利要求1所述的方法，一种等离子体处理装置包括：真空室；所述真空室中具有衬底支撑表面的衬底支撑件；耦合到所述真空室的等离子体源；所述衬底支撑件表面中的多个气体端口，其定位成在所述衬底支撑件表面和其上所支撑的衬底之间传输背部气体；所述衬底支撑件中用于改变衬底支撑件的温度的温度控制单元；多个阀，每个所述阀耦合到至少一个所述气体端口；和控制器，可操作为分别控制所述阀，以控制沿着所述衬底支撑件表面的背部气体分布，从而沿着所述衬底改变所述支撑件表面和所述衬底之间的热导率。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述气体端口处控制所述背部气体，以至少部分地沿着所述衬底的直径动态改变所述衬底的温度。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述气体端口处控制所述背部气体，以至少部分地从所述衬底的中心沿径向改变所述衬底的温度。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述气体端口处控制所述背部气体，以至少部分地围绕所述衬底中心沿圆周方向改变衬底温度。