[发明专利]用于膜电解槽的电极无效

专利信息
申请号: 200880015876.6 申请日: 2008-05-14
公开(公告)号: CN101707932A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: A·欧塔维尼;L·卡雷廷;D·F·迪佛朗格;C·莫加纳;M·佩里戈 申请(专利权)人: 德诺拉工业有限公司
主分类号: C25B11/02 分类号: C25B11/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 意大*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 用于 电解槽 电极
【权利要求书】:

1.一种电解槽,包括离子交换膜和与所述离子交换膜直接接触的至少一个电极,所述电极包括金属基底,其具有至少一个配置有多个局部平行凹槽的表面,所述凹槽的深度范围是0.001-0.1mm,相邻凹槽间的距离范围是0.1-0.5mm。

2.根据权利要求1所述的电解槽,其中所述凹槽的所述深度范围是0.005-0.02mm。

3.根据权利要求1或2所述的电解槽,其中所述凹槽沿整个表面基本上平行。

4.根据权利要求1或2所述的电解槽,其中所述局部平行凹槽彼此交叉。

5.根据权利要求1所述的电解槽,其中所述电极的基底的材料选自由钛及其合金、镍及其合金、不锈钢组成的组。

6.根据权利要求1所述的电解槽,其中所述电极的基底具有选自由穿孔板或多孔板、网状结构和百叶窗式结构组成的组中的几何结构。

7.根据权利要求1所述的电解槽,其中所述电极进一步包括在提供有凹槽的所述表面上施加的催化涂层。

8.根据权利要求7所述的电解槽,其中所述催化涂层包括贵金属或其氧化物。

9.根据权利要求1所述的电解槽,其中所述至少一个电极被装配成沿整个表面基本上平行的所述凹槽的取向为主要垂直方向。

10.一种制造根据权利要求1到9中任何一个所述的电解槽的方法,包括通过连续磨蚀在所述电极的所述金属基底上形成所述多个凹槽的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述磨蚀是利用选自以下组中的至少一个设备来连续进行的:砂纸或砂布的滚子、磨石和片状砂轮。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述磨蚀是利用拉拔机或滚轧机来进行的。

13.一种通过在根据权利要求1到9中任何一个所述的膜电解槽中施加直流电进行的碱金属氯化物盐水的电解工艺,包括在所述至少一个电极的表面上析出气体产物的步骤。

14.根据权利要求13所述的工艺,其中所述气体产物是阳极析出的氯气或阴极析出的氢气。

15.根据权利要求13到14中任何一个所述的工艺,其中所述直流电的密度为至少5kA/m2

16.根据权利要求13所述的工艺,其中电解槽的膜两侧的压差是至少3000Pa。

17.根据权利要求13所述的工艺,其中阳极室出口处的所述盐水的浓度是至多200g/l。

18.根据权利要求13所述的工艺,其中阴极室产生的碱性溶液的重量浓度是至少33%。

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