[发明专利]具有超突变结的结型场效应管

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一导电类型的 栅极，其中所述栅极直接位于半导体衬底的顶表面之下；

第二导电类型的源极，其中所述源极直接位于所述顶表面之下，且邻接所述栅极，并且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

所述第二导电类型的漏极，其中所述漏极直接位于所述顶表面之下、邻接所述栅极、且与所述源极分开；

所述第二导电类型的超突变结层，其中所述超突变结层直接位于所述栅极、所述源极、以及所述漏极之下；以及

所述第一导电类型的主体，其中所述主体直接位于所述超突变结层之下，且与所述栅极、所述源极、以及所述漏极分开。

2.如权利要求1所述的半导体结构，还包括连接至所述漏极或所述源极的电负载，其中基本相同的电流流过所述源极、所述超突变结层、所述漏极以及所述电负载。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括在所述栅极、所述超突变结层以及所述主体的每一个中的耗尽区域。

4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

栅极接触，直接接触所述栅极；

源极接触，直接接触所述源极；以及

漏极接触，直接接触所述漏极，其中所述栅极接触、所述源极接触、以及所述漏极接触的每一个各包括金属半导体合金。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中所述栅极接触、所述源极接触以及所述漏极接触中的每一个至少通过金属化阻断介电层或浅沟槽隔离彼此分隔。

6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

所述第一导电类型的主体通达区，其中所述主体通达区直接接触所述 主体和所述半导体衬底的所述顶表面；以及

主体接触，其直接接触所述主体通达区，且包括金属半导体合金。

7.如权利要求6所述的半导体结构，还包括浅沟槽隔离，其中所述浅沟槽隔离将所述主体通达区与所述栅极、所述源极、所述漏极以及所述超突变结层分隔开。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述半导体衬底包括这样的材料，所述材料选自：硅、锗、硅锗合金、硅碳合金、硅锗碳合金、III-V族化合物半导体材料、II-VI族化合物半导体材料、有机半导体材料。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述源极、所述栅极以及所述漏极具有的峰值掺杂剂浓度在5.0x10¹⁹/cm³至5.0x10²¹/cm³的范围内，所述超突变结层具有的峰值掺杂剂浓度在1.0x10¹⁶/cm³至3.0x10¹⁹/cm³的范围内，所述主体具有的峰值掺杂剂浓度在1.0x10¹⁶/cm³至3.0x10¹⁹/cm³的范围内。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述源极和所述漏极的每一个具有的厚度在20nm至300nm的范围内，所述超突变结层在15nm至270nm范围内的深度处邻接所述栅极，且所述超突变结层具有的厚度在15nm至300nm的范围内。

11.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

衬底层，直接位于所述主体之下且位于所述半导体衬底之内，并且具有所述第二导电类型的掺杂；以及

pn结，在所述主体和所述衬底层之间。

12.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第二导电类型的掩埋掺杂层，其中所述掩埋掺杂层直接位于所述主体之下，且具有所述第二导电类型的掺杂；

所述第二导电类型的掩埋掺杂层通达区，其中所述掩埋掺杂层通达区直接接触所述掩埋掺杂层和所述半导体衬底的所述顶表面；以及

衬底层，直接位于所述掩埋掺杂层之下且位于所述半导体衬底之内，并且具有所述第一导电类型的掺杂。