[发明专利]半透明的多晶氧化铝陶瓷

权利要求书

1.多晶体，包含氧化铝、氧化镁、二氧化铪和氧化钇，其中该多晶体的氧化铝晶粒的平均尺寸是至少10μm，并且其中氧化钇的存在量是该陶瓷体重量的至少6ppm，以及氧化镁和二氧化铪是以大约0.5∶1-大约3∶1的摩尔比存在的。

2.权利要求1的多晶体，其中以每百万重量份该陶瓷体中的份数来表示，所述的氧化物的存在量如下：

氧化镁    至少100ppm；

二氧化铪  至少120ppm；和

氧化钇    至少6ppm。

3.权利要求1的多晶体，其中氧化镁的存在量不大于200ppm。

4.权利要求1的多晶体，其中氧化镁与二氧化铪的摩尔比是1∶1-2∶1。

5.权利要求1的多晶体，其中二氧化铪的存在量至多840ppm。

6.权利要求1的多晶体，其中氧化钇的存在量至多100ppm。

7.权利要求1的多晶体，其中该陶瓷体基本上没有碱金属和碱土金属的氧化物。

8.权利要求1的多晶体，其中该多晶体是半透明的。

9.包含放电管的灯，该放电管包括权利要求1的陶瓷体，该放电管界定出密封室，在其中布置有包含钠和汞的填充物。

10.权利要求9的灯，其中该填充物进一步包括起始气体。

11.权利要求9的灯，其进一步包括延伸到所述室中的电极。

12.权利要求9的灯，其进一步包含包围着该放电容器的玻璃质包壳。

13.形成半透明的多晶氧化铝体的方法，其包含：

形成陶瓷形成性成分和有机粘合剂的混合物，该陶瓷形成性成分包括平均晶粒尺寸至少是0.2μm的颗粒氧化铝和添加剂，所述添加剂以它们的氧化物在每百万重量份的总陶瓷形成性成分中的份数来表示如下：

氧化镁  150-800ppm；

二氧化铪  120-1200ppm；和

氧化钇  6-130ppm；

由该混合物形成成形体；

烧制该成形体来形成半透明的多晶氧化铝体。

14.权利要求13的方法，其中该半透明的多晶氧化铝体中的氧化镁不大于400ppm。

15.权利要求13的方法，其中二氧化铪至少是250ppm。

16.权利要求13的方法，其中氧化钇是16-35ppm。

17.权利要求13的方法，其中该混合物基本上没有碱金属和碱土金属及其化合物。

18.权利要求13的方法，其中所述添加剂包括铪和钇的盐。

19.权利要求13的方法，其中所述的由该混合物形成成形体包括：挤出成形体，并在一对间隔开的旋转辊子上干燥该成形体。

20.形成放电管的方法，其包含：

根据权利要求13的方法形成陶瓷体，和

将填充物密封到该陶瓷体的室内，该填充物包括钠和任选的下面二者中的至少一种：汞和起始气体。

21.权利要求20的方法，其进一步包括对电极进行布置，以使得其延伸到所述室内。

22.半透明的多晶氧化铝体，其包含氧化镁、二氧化铪和氧化钇，这些氧化物以下面的量存在，以每百万重量份该陶瓷体中的份数来表示如下：

氧化镁     100-200ppm；

二氧化铪   360-840ppm；和

氧化钇     10-100ppm。