[发明专利]用于片状物体的滚动存储器有效
申请号: | 200880016056.9 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101678981A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | A·米歇尔斯 | 申请(专利权)人: | 温科尼克斯多夫国际有限公司 |
主分类号: | B65H29/00 | 分类号: | B65H29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李永波;梁 冰 |
地址: | 德国帕*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 片状 物体 滚动 存储器 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于存储片状物体的滚动存储器,尤其是在一个或 两个带状薄膜的卷绕层之间的钞票,它们在至少一个薄膜滚筒与卷绕滚 筒之间往复卷绕。
背景技术
滚动存储器在盒式存储器旁边安装在现金自动机、现金系统和其它 现金处理系统如自动的现金保险箱和现金循环系统。滚动存储器能够以 简单且快速的方式存入和给出钞票。在滚动存储器充满或存入时钞票先 后卷绕在一个或两个薄膜的卷绕层之间的卷绕滚筒上。在只具有一个储 存带的滚动存储器的第一变化中钞票固定在作为储存带的带状薄膜的 卷绕层之间。在第二变化中附加地对于第一薄膜设置作为覆盖带的带状 第二薄膜。对于第一和第二薄膜在空间上相互分开地在滚动存储器中设 置第一和第二薄膜滚筒。两个薄膜分别在转向辊上一起导引。在转向辊 上带状物体在存入时在薄膜之间导引并且在给出时从薄膜上取下来。从 转向辊开始使两个薄膜上下平放地输送到卷绕滚筒。因此带状物体被固 定在第一与第二薄膜之间。现有的固定存储器可以是第一或第二变化的 固定存储器。
为了给出带状物体使薄膜或使所有薄膜从卷绕滚筒退卷并且卷绕 在薄膜滚筒上。在这个过程中带状物体由卷绕层释放并且可以先后取 出。因此按照“后进先出”的原则给出带状物体。
自动且以高速存入和给出带状物体。在此具有决定性意义的是,使 带状物体通过薄膜或多个薄膜以可靠的方式输送和固定。因此在薄膜滚 筒与卷绕滚筒之间往复卷绕薄膜时尽管薄膜输送方向变化也必需保证, 不形成回线且不从侧面中断其导向。为此需要张紧薄膜,这在薄膜输送 方向转向时并且也在薄膜速度变化时也要保持。
已知固定存储器,其中为了保持薄膜张紧使薄膜通过转向或导向辊 导引,其轴弹性地支承。由此一起补偿长度差。但是不能补偿速度变化 和薄膜输送方向反向。此外形成具有弹性支承轴的辊的结构和滚动存储 器的加工是费事的。它们还易于磨损并且必需经常更换。
发明内容
本发明的目的是,提供一种对于磨损不敏感的滚动存储器供使用, 其中薄膜导向在克服票证堵塞时和为了清洁和维护的目的对于接触薄 膜是不敏感的,并且在薄膜输送方向反向时和速度变化时也保持薄膜张 紧。
与由现有技术已知的滚动存储器相比按照本发明的具有权利要求1 特征的滚动存储器的优点是,或者薄膜滚筒或者卷绕滚筒或者两个滚筒 配有磁滞耦合器,用于将转矩从电机传递到薄膜滚筒和/或卷绕滚筒。在 磁滞耦合器中转矩不通过机械的连接而且借助于磁力无接触地传递。与 同步耦合器不同,在同步耦合器中不仅在主动端而且在从动端都设置周 期布置的永久磁铁,在磁滞耦合器中仅仅使耦合器半体配备周期布置的 永久磁铁。耦合器的第二半体由环或盘组成,它们由永磁材料制成,具 有相对较大的剩磁和导磁率和相对较小的矫顽磁场强度。由此可以使第 二耦合器半体由另一耦合器半体相对于阻力反复磁化。由此以微小的能 耗实现换极。如果超过取决于第一与第二耦合器半体之间的磁力的磁滞 耦合器的额定转矩,则耦合器开始空转。因此使传递的转矩在超载时也 恒定地保持在额定转矩的水平。因此使磁滞耦合器是完全无磨损且少维 护的。使两个耦合器半体与驱动端连接是微不足道的。
在滚动存储器的第一变型中,其中片状物体固定在作为储存带的薄 膜的卷绕层之间,可以使磁滞耦合器设置在薄膜滚筒或卷绕滚筒上。以 优选的方式使薄膜滚筒配备磁滞耦合器,因为薄膜滚筒比卷绕滚筒更小 且更便利,并且在滚动存储器中还提供更多的空间供薄膜滚筒使用。
在滚动存储器的第二变型中,其中附加地对于第一薄膜设置作为覆 盖带的带状第二薄膜,并且其中使带状物体固定在第一与第二薄膜之间 的卷绕滚筒上,以优选的方式使磁滞耦合器设置在薄膜滚筒上。这一点 同样适用于滚动存储器的第一变化,其中多个存储薄膜并排地卷绕和退 卷,并且其中对于每个存储薄膜设置具有驱动装置的薄膜滚筒。如果每 个薄膜滚筒配备磁滞耦合器,则第一薄膜的止锁可以与第二薄膜和可能 的其它薄膜无关地补偿。这一点对于卷绕滚筒上的磁滞耦合器不能实 现。
配备至少一个磁滞耦合器的滚动存储器的优点是,使磁滞耦合器在 由于票证堵塞或其它原因出现止锁时空转,只要止锁的转矩大于磁滞耦 合器的额定转矩。由此避免损伤电机。在克服止锁的原因以后可以继续 运行滚动存储器,无需重新调整或调节磁滞耦合器。此外可以补偿卷绕 滚筒与薄膜滚筒的速度差或转速差,它们取决于卷绕在各个滚筒上的基 于薄膜整个长度的薄膜分量。
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