[发明专利]光电子器件有效
申请号: | 200880016083.6 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN101681995A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 马库斯·克莱因;诺温·文马尔姆;本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 炜;许伟群 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 | ||
本发明涉及一种光电子器件,其在工作中可以发射电磁辐射并且在关 断状态下具有所希望的色觉。
因此,本发明的确定的实施形式的至少一个任务是提出一种具有波长 转换层的光电子器件,其可以在关断的状态下减少或者避免不希望的色 觉。
该任务通过具有独立权利要求的特征的主题来解决。该主题的有利的 实施形式和改进方案表示在从属权利要求中并且由以下的说明和附图中 得到。
根据本发明一个实施形式的光电子器件尤其包括:有机层序列,其在 工作中发射具有第一频谱的电磁辐射;以及结构化的层,其在由有机层序 列发射的电磁辐射的光路中设置在有机层序列之后,并且具有第一和第二 区域。在此,第一区域分别具有波长转换层,该波长转换层构建为将具有 第一波长谱的电磁辐射至少部分转换成具有第二波长谱的电磁辐射。此 外,第二区域分别具有滤光层,该滤光层对于具有第三波长谱的电磁辐射 是至少部分不透射的,其中第三波长谱对应于第二波长谱的至少一部分。
尤其是在此观察者可以在光电子器件工作中感知到所发射的电磁辐 射。这基本上可以对应于通过第二区域发射的具有第一波长谱的电磁辐射 与由第一区域的波长转换层发射的具有第二波长谱的电磁辐射的叠加。
在此,在光电子器件的工作中具有第一波长谱的电磁辐射由有机层序 列发射并且射到结构化的层的第一区域和第二区域。在第一层中将具有第 一波长谱的电磁辐射至少部分地(而在不同的实施形式中完全地)转换成 具有第二波长谱的电磁辐射。在第二区域中的相应的滤光层尽管对于具有 与第二波长谱的至少一部分对应的第三波长谱的电磁辐射是不透射的,但 是优选对于具有第一波长谱的电磁辐射是透射的。因此,在由光电子器件 发射的电磁辐射的总体印象中出现第一波长谱和第二波长谱的叠加。
在至少一个实施形式中,结构化的层以物理方式和/或以化学方式固 定到有机层序列上。这尤其意味着:结构化的层例如通过粘合剂、优选通 过在其折射率方面相匹配的透明粘合剂或者胶来施加到有机层序列上,或 者具有至有机层序列的化学键,例如共价键。
结构化的层的结构在本发明的不同的实施形式中可以包括条状、交叉 条状、即格栅状、圆形、三角形或者矩形、即棋盘状的区域,或者作为上 述几何形状的组合的任意几何形状的区域。此外,结构化的层的结构可以 包括区域的不规则图案,尤其是其中第一和第二区域具有可变尺寸和形状 的图案。换言之,结构化的层的图案通过第一和第二区域的相应特定布置 来形成。结构化的层的区域优选横向或者并排地设置在光电子器件的光路 中。也就是说,这些区域并不是相叠地设置光路中,而是例如彼此相邻地 设置。
区域的尺寸例如结构化的层的区域的分辨率可以在小于1mm的量 级,优选在100μm至几百微米的量级,并且进一步优选在小于100μm的 量级。特别是对于其中光电子器件并不与光学成像技术或者设备组合地被 利用的照明应用,对结构化的层的区域的尺寸仅仅提出适度的要求可以是 足够的。
在本发明的另一实施形式中,“波长谱”或者“频谱”或者“部分频 谱”表示如下电磁辐射的频谱分布:该电磁辐射具有带有一个波长的至少 一个频谱成分,或者具有带有多个波长和/或波长范围的多个频谱成分。 当频谱成分和其相对强度在第一频谱和第二频谱的情况下相同时,第一频 谱和第二频谱是相同的,其中第一频谱的绝对强度可以与第二频谱的绝对 强度不同。
在本发明的一个实施形式中,“部分”表示频谱的部分频谱,例如第 一频谱的部分频谱。尤其是,频谱的部分频谱可以由频谱的频谱成分的一 部分构成。此外,“部分”也可以表示频谱或者部分频谱的强度的一部分。
在本发明的另一实施形式中,“转换”可以表示:由波长转换层至少 部分转换成具有第二频谱的电磁辐射的、具有第一频谱的电磁辐射的部分 频谱和第二频谱不相同。这尤其是意味着,第二频谱具有如下频谱分布: 该频谱分布与具有第一频谱的电磁辐射的部分频谱的频谱分布不同。
此外,波长转换层可以具有吸收频谱和发射频谱,其中吸收频谱和发 射频谱有利地是不相同的。优选地,吸收频谱在此包括具有第一频谱的电 磁辐射的部分频谱而发射频谱包括第二频谱。尤其是,吸收频谱和发射频 谱可以分别包括另外的频谱成分,其并不包含在具有第一频谱或第二频谱 的电磁辐射的部分频谱中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880016083.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择