[发明专利]可变容积等离子处理室和相关方法

权利要求书

1.一种等离子处理室，包括：

基片支撑件，具有限定为在该室内在基本上水平的方位支撑基片的顶部表面；

设在该室内的顶部衬垫；和

许多伸缩构件，设在该室内、该基片支撑件边缘之外并与该基片支撑件的顶部表面的中心同心，其中该许多伸缩构件每个具有在该顶部衬垫内的原位，该许多伸缩构件每个限定为以连续伸缩的方式在基本上垂直的方向独立移动以便能够调节该基片支撑件的顶部表面上方的开放容积并避免在该许多伸缩构件任一个之外形成等离子腔。

2.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件限定为同心圆柱体。

3.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件是三个伸缩构件。

4.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件每个限定为具有不同的径向厚度从而该许多伸缩构件的径向厚度随着相对该基片支撑件径向位置的增加而增加。

5.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中径向位置最靠近该基片支撑件的伸缩构件包括内表面轮廓，其限定为优化该室内的射频功率耦合一致性和气流动态。

6.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件每个由导电材料形成并电气连接到接地电势。

7.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件每个由介电材料形成。

8.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件的至少一个由介电材料形成以及该许多伸缩构件的至少一个由连接到接地电势的导电材料形成。

9.根据权利要求1所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件每个限定为从原位独立向下移动，以能够调节该基片支撑件的顶部表面上方的开放容积。

10.根据权利要求9所述的等离子处理室，其中该许多伸缩构件中除了最外面的伸缩构件之外的每个被限定使其从原位的移动限制为到其直接围绕伸缩构件的位置。

11.一种等离子处理系统，包括：

室，限定为包括，

基片支撑件，限定为在该室内在基本上水平的方位支撑基片，

设在该室内的顶部衬垫；和

许多伸缩构件，其设在该室内、该基片支撑件边缘之外，其中该许多伸缩构件每个具有在该顶部衬垫内的原位，该许多伸缩构件每个限定为以连续伸缩的方式在基本上垂直的方向独立移动以便能够改变该基片支撑件上方的开放容积，并避免在该许多伸缩构件任一个之外形成等离子腔；

计量器，限定为检测将在该开放容积内生成的等离子的状态并产生显示系统状态的信号；和

控制系统，限定为根据由该计量器生成的信号指引该许多伸缩构件的移动，以便维持该开放容积内的目标等离子状态。

12.根据权利要求11所述的等离子处理系统，其中该许多伸缩构件限定为同心圆柱体。

13.根据权利要求11所述的等离子处理系统，其中该基片支撑件限定为射频通电电极。

14.根据权利要求13所述的等离子处理系统，其中该许多伸缩构件每个由金属形成并电气连接到接地电势，从而该许多伸缩构件相对该基片支撑件的移动影响射频功率回路。

15.一种用于基片等离子处理的方法，包括：

将基片设在室内的基片支撑件上，其中该室包括：

设在该室内的顶部衬垫；和

许多伸缩构件，其设在该室内、该基片支撑件边缘之外，其中该许多伸缩构件每个具有在该顶部衬垫内的原位，该许多伸缩构件每个限定为以连续伸缩的方式在基本上垂直的方向独立移动以便能够改变该基片支撑件上方的开放容积，并避免在该许多伸缩构件任一个之外形成等离子腔；

定位该许多伸缩构件的步骤，以便在该基片支撑件上方建立指定的开放容积；和

将该基片暴露于该基片支撑件上方的开放容积内的等离子。

16.根据权利要求15所述的用于基片等离子处理的方法，进一步包括：

将该许多伸缩构件加热到指定的温度。

17.根据权利要求15所述的用于基片等离子处理的方法，进一步包括：

移动该许多伸缩构件以调节该基片支撑件上方的开放容积，由此调节跨越该基片的等离子一致性。