[发明专利]共轭低聚物作为形成导电聚合物用的添加剂的用途

权利要求书

1.一种形成电容器的方法，包括：

提供阳极；

在所述阳极上提供电介质；

将包括所述电介质的所述阳极暴露于聚合物前体的溶液中，其 中所述聚合物前体包含75重量％至99.9重量％的单体以及0.1重量％ 至25重量％的共轭低聚物；以及

使所述聚合物前体聚合。

2.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述聚合物前体 包含90重量％至99.9重量％的单体以及0.1重量％至10重量％的共 轭低聚物。

3.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述聚合物前体 包含95重量％至99.5重量％的单体以及0.5重量％至5重量％的共轭 低聚物。

4.权利要求1所述的形成电容器的方法，其包括：将包括电介 质的所述阳极暴露于溶液中，所述溶液包含1重量％至100重量％的 所述聚合物前体以及0重量％至99重量％的溶剂。

5.权利要求4所述的形成电容器的方法，包含10重量％至90 重量％的溶剂。

6.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的使所述聚 合物前体聚合是通过电化学聚合实现的。

7.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述的使所述聚 合物前体聚合是通过化学聚合实现的。

8.权利要求7所述的形成电容器的方法，其中所述化学聚合是 化学氧化聚合。

9.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述阳极包括导 体。

10.权利要求9所述的形成电容器的方法，其中所述导体包括选 自铌、铝、钽、钛、锆、铪、钨和NbO中的至少一种材料。

11.权利要求10所述的形成电容器的方法，其中所述阳极包括 选自铌、钽和NbO中的至少一种材料。

12.权利要求1所述的形成电容器的方法，其中所述单体为；

其中：

X选自S、Se和N；

R¹和R²独立地代表：氢、直链或支链C₁-C₁₆烷基、或者直链或 支链C₁-C₁₈烷氧基烷基；未取代的C₃-C₈环烷基、苯基或苄基，或者 被C₁-C₆烷基、C₁-C₆烷氧基、卤素或-OR³取代的C₃-C₈环烷基、苯 基或苄基；或者R¹和R²连在一起为直链C₁-C₆亚烷基，该直链C₁-C₆亚烷基未被取代，或者被C₁-C₆烷基、C₁-C₆烷氧基、卤素、C₃-C₈环 烷基、苯基、苄基、C₁-C₄烷基苯基、C₁-C₄烷氧基苯基、卤代苯基、 C₁-C₄烷基苄基、C₁-C₄烷氧基苄基或卤代苄基、或者含有两个氧元素 的5元、6元或7元杂环结构取代；并且

R³代表：氢、直链或支链C₁-C₁₆烷基；C₁-C₁₈烷氧基烷基；未 取代的C₃-C₈环烷基、苯基或苄基，或者被C₁-C₆烷基取代的C₃-C₈ 环烷基、苯基或苄基。