[发明专利]杂化荧光/磷光OLED有效
申请号: | 200880016387.2 | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101682002A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | J·C·迪顿;D·Y·康达寇夫;M·E·康达可瓦;K·P·可路贝;D·L·康福 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范 赤;韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 磷光 oled | ||
1.一种OLED器件,包括:
a)荧光发射层,包括荧光发射体和荧光主体材料,其中荧光主体 材料的HOMO能级比荧光发射体的HOMO能级更负不超过0.1eV;
b)磷光发射层,包括磷光发射体和磷光主体材料;和
c)荧光发射层和磷光发射层之间插入的间隔层;
其中荧光主体材料的三重态能量大于间隔层材料和磷光主体材料 两者的三重态能量,或低于间隔层材料和磷光主体材料两者的三重态 能量不超过0.2eV。
2.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料的HOMO能级 等于荧光发射体的HOMO能级,或不比荧光发射体的HOMO能级负。
3.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料的HOMO能级 为-5.7eV或不比-5.7eV负。
4.权利要求3的OLED器件,其中荧主体材料具有至少2.2eV的 三重态能量。
5.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料为空穴传输材料。
6.权利要求5的OLED器件,其中荧光发射层在间隔层的阳极侧 上,间隔层材料和磷光主体材料均为电子传输材料。
7.权利要求5的OLED器件,其中荧光发射层在间隔层的阴极侧 上,在与间隔层相对侧上接触电子传输材料,以及间隔层材料和磷光 主体材料均为空穴传输材料。
8.权利要求1的OLED器件,其中间隔材料选自以下:
a)式(MCOH-b)表示的络合物
其中:
M1表示Al或Ga;和
R2-R7表示氢或独立选择的取代基;和
L为由氧连接至铝的芳族部分,其可以用取代基取代,使得L具 有6至30个碳原子;和
b)式(GH)的有机镓络合物:
其中:
M表示镓;
n为3;和
每个Za和每个Zb独立地选择,并且每个表示形成不饱和环所需 的原子,Za和Zb彼此直接键合,条件是Za和Zb可以进一步连接形成 稠环体系;和
c)式(SFH)的芴衍生物:
其中R1-R10表示每个环上的一个或多个取代基,其中每个取代基独立 地选自以下组:
组1:氢或1至24个碳原子的烷基;
组2:5至20个碳原子的芳基或取代芳基;
组3:形成稠合或有环芳族环,包括另外的芴基团以形成双-螺芴 所需的4至24个碳原子;
组4:形成稠合杂芳族环所需的5至24个碳原子的杂芳基或取代 杂芳基;
组5:1至24个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基;和
组6:氟、酮、氯、溴或氰基。
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