[发明专利]杂化荧光/磷光OLED有效

专利信息
申请号: 200880016387.2 申请日: 2008-05-08
公开(公告)号: CN101682002A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: J·C·迪顿;D·Y·康达寇夫;M·E·康达可瓦;K·P·可路贝;D·L·康福 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 范 赤;韦欣华
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 荧光 磷光 oled
【权利要求书】:

1.一种OLED器件,包括:

a)荧光发射层,包括荧光发射体和荧光主体材料,其中荧光主体 材料的HOMO能级比荧光发射体的HOMO能级更负不超过0.1eV;

b)磷光发射层,包括磷光发射体和磷光主体材料;和

c)荧光发射层和磷光发射层之间插入的间隔层;

其中荧光主体材料的三重态能量大于间隔层材料和磷光主体材料 两者的三重态能量,或低于间隔层材料和磷光主体材料两者的三重态 能量不超过0.2eV。

2.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料的HOMO能级 等于荧光发射体的HOMO能级,或不比荧光发射体的HOMO能级负。

3.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料的HOMO能级 为-5.7eV或不比-5.7eV负。

4.权利要求3的OLED器件,其中荧主体材料具有至少2.2eV的 三重态能量。

5.权利要求1的OLED器件,其中荧光主体材料为空穴传输材料。

6.权利要求5的OLED器件,其中荧光发射层在间隔层的阳极侧 上,间隔层材料和磷光主体材料均为电子传输材料。

7.权利要求5的OLED器件,其中荧光发射层在间隔层的阴极侧 上,在与间隔层相对侧上接触电子传输材料,以及间隔层材料和磷光 主体材料均为空穴传输材料。

8.权利要求1的OLED器件,其中间隔材料选自以下:

a)式(MCOH-b)表示的络合物

其中:

M1表示Al或Ga;和

R2-R7表示氢或独立选择的取代基;和

L为由氧连接至铝的芳族部分,其可以用取代基取代,使得L具 有6至30个碳原子;和

b)式(GH)的有机镓络合物:

其中:

M表示镓;

n为3;和

每个Za和每个Zb独立地选择,并且每个表示形成不饱和环所需 的原子,Za和Zb彼此直接键合,条件是Za和Zb可以进一步连接形成 稠环体系;和

c)式(SFH)的芴衍生物:

其中R1-R10表示每个环上的一个或多个取代基,其中每个取代基独立 地选自以下组:

组1:氢或1至24个碳原子的烷基;

组2:5至20个碳原子的芳基或取代芳基;

组3:形成稠合或有环芳族环,包括另外的芴基团以形成双-螺芴 所需的4至24个碳原子;

组4:形成稠合杂芳族环所需的5至24个碳原子的杂芳基或取代 杂芳基;

组5:1至24个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基;和

组6:氟、酮、氯、溴或氰基。

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