[发明专利]半导体发光装置无效
申请号: | 200880016399.5 | 申请日: | 2008-05-13 |
公开(公告)号: | CN101681962A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 保科孝治 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;刘瑞东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
基板;
夹着或未夹着载体而设置于所述基板上的半导体发光元件;和
封装所述半导体发光元件的封装结构体;
其中,所述封装结构体具有与所述半导体发光元件的底面平行的底 面,所述封装结构体的侧面相对于底面倾斜,从半导体发光元件的底面到 封装结构体的顶面的上侧距离为半导体发光元件的最长对角线或直径的 0.5~3倍。
2.按照权利要求1所述的发光装置,其特征在于:
从半导体发光元件的底面到封装结构体的底面的下侧距离与从半导 体发光元件的底面到封装结构体的顶面的上侧距离之比(下侧距离/上侧距 离)为1以上。
3.按照权利要求1所述的发光装置,其特征在于:
从半导体发光元件的底面到封装结构体的底面的下侧距离与从半导 体发光元件的底面到封装结构体的顶面的上侧距离之比(下侧距离/上侧距 离)小于1。
4.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与底面的面积比(顶面的面积/底面的面积)为36/25 以上。
5.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与底面的相对应的各边的长度或直径之比(顶面的 各边的长度或直径/底面的各边的长度或直径)为6/5以上。
6.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与侧面形成的角度为82度以内。
7.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与底面的面积比(项面的面积/底面的面积)为16/25 以下。
8.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与底面的相对应的各边的长度或直径之比(顶面的 各边的长度或直径/底面的各边的长度或直径)为4/5以下。
9.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
封装结构体的顶面与侧面形成的角度为107度以上。
10.按照权利要求1~3中任何一项所述的发光装置,其特征在于:
半导体发光元件为倒装芯片型。
11.一种发光装置的制造方法,其特征在于包括下述的步骤(1)~(4):
(1)夹着或未夹着载体将半导体发光元件安装于基板上;
(2)形成中央部中空的环状锥形管,所述环状锥形管的顶面及底面满 足权利要求4~9中任何一项所述的封装结构体的顶面及底面的结构和尺 寸;
(3)以将半导体发光元件及根据需要的载体收置于中央中空部的方 式,将环状锥形管安装于基板;和
(4)在环状锥形管的中央中空部填充具有与所述环状锥形管相同的折 射率的材料。
12.一种发光装置的制造方法,其特征在于包括下述的步骤(1)~(3):
(1)夹着或未夹着载体将半导体发光元件安装于基板上;
(2)形成在底面中央部具有凹部的封装结构体,所述封装结构体的顶 面及底面满足权利要求4~9中任何一项所述的结构和尺寸;和
(3)以将半导体发光元件及根据需要的载体收置于凹部的方式,将封 装结构体用具有与封装结构体相同的折射率的材料固定于基板并同时在 所述凹部填充所述材料。
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