[发明专利]具有荧光和磷光层的杂化OLED有效
申请号: | 200880016448.5 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101681996A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | J·C·迪顿;M·E·康达可瓦;D·J·杰森;W·J·贝格里;D·Y·康达寇夫 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范 赤;韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 荧光 磷光 oled | ||
1.一种OLED器件,包括:
a.包括至少一种荧光发射体和主体材料的荧光发射层;
b.包括至少一种发射体和主体材料的磷光发射层;和
c.在荧光发射层和磷光发射层之间插入的间隔层,
其中荧光发射体的三重态能量大于或等于间隔材料和磷光主体材料两者的三重态能量,或者荧光发射体的三重态能量低于间隔材料和磷光主体材料两者的三重态能量不超过0.2eV;和
其中间隔材料的三重态能量大于或等于磷光主体材料的三重态能量,或者间隔材料的三重态能量低于磷光主体材料的三重态能量不超过0.2eV。
2.权利要求1的OLED器件,其中荧光发射层包括主体材料和荧光发射体,所述荧光发射体的三重态能量等于或大于间隔材料和磷光主体材料的三重态能量。
3.权利要求2的OLED器件,其中间隔材料与荧光发射层中的主体材料相同。
4.权利要求2的OLED器件,其中间隔材料与磷光发射层中的主体材料相同。
5.权利要求1的OLED器件,其中间隔材料选自以下:
a)由式(MCOH-b)表示的络合物
其中:
M1表示Al或Ga;和
R2-R7表示氢或独立选择的取代基;和
L为由氧连接至M1的芳族部分,其可以用取代基取代,使得L具有6至30个碳原子;
b)由式(TADA)表示的化合物:
其中:
Are为独立选择的亚芳基;和
n选自1至4;和
R1-R4为独立选择的芳基;或
c)由式(FAH)表示的化合物:
其中
其中R1-R10表示每个环上的一个或多个取代基,其中每个取代基独立地选自以下组:
组l:氢,或1至24个碳原子的烷基;
组2:5至20个碳原子的芳基或取代芳基;
组3:形成稠合或有环芳族环所需的4至24个碳原子;
组4:形成稠合杂芳族环所需的5至24个碳原子的杂芳基或取代杂芳基;
组5:1至24个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基;和
组6:氟、氯、溴或氰基。
6.权利要求1的OLED器件,其中荧光发射体具有2.2eV或更大的三重态能量。
7.权利要求1的OLED器件,包括发光单元,所述单元由最接近于阳极的第一磷光发射层、第一间隔层、荧光发射层、第二间隔层和最接近于阴极的第二磷光发射层组成。
8.权利要求7的OLED器件,其中第一磷光发射层的主体和第一间隔层的材料各自为空穴传输材料,第二磷光发射层的主体和第二间隔层的材料各自为电子传输材料。
9.一种OLED器件,包括:
a.包括至少一种荧光发射体和主体材料的荧光发射层;
b.包括至少一种磷光发射体和主体材料的磷光发射层;
c.在荧光发射层和磷光发射层之间插入的间隔层,
其中荧光主体材料的三重态能量等于或低于荧光发射体的三重态能量,或者荧光主体材料的三重态能量高于荧光发射体的三重态能量不超过0.2eV;并且荧光主体材料的三重态能量大于或等于间隔材料和磷光主体材料两者的三重态能量,或者荧光主体材料的三重态能量低于间隔材料和磷光主体材料两者的三重态能量不超过0.2eV,和
其中间隔材料的三重态能量大于或等于磷光主体材料的三重态能量,或者间隔材料的三重态能量低于磷光主体材料的三重态能量不超过0.2eV。
10.权利要求9的OLED器件,其中荧光主体材料、间隔层材料和磷光主体材料各自为电子传输的;和
荧光发射层在阳极侧接触空穴传输材料;和
间隔层和磷光发射层在阴极和荧光发射层之间。
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