[发明专利]对电连接中具有高迁移率的组分的束缚有效
申请号: | 200880016621.1 | 申请日: | 2008-06-05 |
公开(公告)号: | CN101681853A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 约翰·特雷扎 | 申请(专利权)人: | 丘费尔资产股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;B23K35/30;H01L21/98 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 | 代理人: | 傅强国 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 具有 迁移率 组分 束缚 | ||
1.一种形成电连接的方法,所述方法包含使用接合材料和阻隔材料联接第一电触点和第二电触点,其中,所述接合材料包含具有第一合成物的合金,所述第一合成物包括第一成分和第二成分,其中所述阻隔材料具有被选择的浓度,以使所述阻隔材料束缚所述第一成分或第二成分的可动部分,从而将所述第一合成物改变成包含所述第一成分和第二成分的第二合成物,并且其中所述第二合成物具有比所述第一合成物高的熔点。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一和第二电触点,所述接合材料,以及所述阻隔材料包括刚性部分和韧性部分,并且所述联接包含穿透所述刚性部分进入所述韧性部分。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述接合材料的高度限制为小于25μm。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述接合材料的高度限制为小于15μm。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述接合材料的高度限制为小于9μm。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻隔材料具有在所述阻隔材料和所述扩散的可动成分的组合体积的20%和67%之间的体积。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阻隔材料束缚所述扩散的可动成分的实质部分,以使所述电连接将持续至少1000小时而没有实质的相迁移。
8.一种两个触点之间的电连接,所述电连接包括:
包含具有第一合成物的合金的接合材料,所述第一合成物包括第一成分和第二成分;以及
阻隔材料,配置来束缚所述第一成分或第二成分的可动部分,从而将所述第一合成物改变成包含所述第一成分和第二成分的第二合成物,其中所述第二合成物具有比所述第一合成物高的熔点;
其中所述阻隔材料具有在所述阻隔材料和可动材料的组合体积的20%和67%之间的体积,使得所述阻隔材料束缚所述可动材料的实质部分,并且
其中所述可动材料的至少一个部分是所述两个触点中的至少一个、形成所述电连接之前的结合金属、或者结合金属上的阻隔的一部分。
9.如权利要求8所述的电连接,其特征在于,所述接合金属包含金。
10.如权利要求8所述的电连接,其特征在于,所述阻隔材料包含镍(Ni)、铬(cr)、钛(Ti)、铂(Pt)、钯(Pd)、钽(Ta)、或钨(w)中的至少一种。
11.如权利要求8所述的电连接,其特征在于,所述可动材料包含锡。
12.一种包含在两个电触点之间的连接的设备,所述连接包括具有第一组合物和第一熔点的接合金属,阻隔材料和合金,所述合金具有能够在形成所述连接之前相间隔离的可动组成成分,以及所述阻隔材料束缚所述可动组成成分的实质部分,以使:
所述连接能够在200℃的温度下持续至少1000小时而没有经受实质的相间隔离;并且
所述接合金属的第一组合物改变成具有比所述第一熔点高的第二熔点的结合金属的第二组合物。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述合金进一步包含:
至少一些阻隔材料,以及
至少一些接合金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造