[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：

在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、 有源层和上半导体层；

通过用研磨剂摩擦所述基底来刮擦所述基底的表面，

其中，刮擦步骤包括以下步骤：

在超声波清洗设备中准备其中混合有所述研磨剂的溶剂；

将其上形成有所述化合物半导体层的所述基底放置在所述超声波清洗设 备中；

在所述超声波清洗设备中施加超声波，从而通过激活所述研磨剂来执行 刮擦；

其中，所述研磨剂是直径为1μm至20μm的钻石。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在执行刮擦步骤之前， 在所述上半导体层上形成电子蜡层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在放置所述基底的步骤中，将所述 基底在所述超声波清洗设备中放置为面向下。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述钻石的直径为2μm至4μm。

5.一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：

在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、 有源层和上半导体层；

通过用研磨剂摩擦所述基底来刮擦所述基底的表面；

其中，刮擦步骤包括以下步骤：

在超声波清洗设备中准备其中混合有所述研磨剂的溶剂；

将其上形成有所述化合物半导体层的所述基底放置在所述超声波清洗设 备中；

在所述超声波清洗设备中施加超声波，从而通过激活所述研磨剂来执行 刮擦；

其中，所述研磨剂是直径为0.25μm至11.5μm的SiC。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述SiC的直径为0.25μm至3μm。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述研磨剂还包括钻石、SiC、cBN 和DLC中的至少一种。

8.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在所述化合物半导体层上形成至少一个电极；

在所述电极上形成绝缘层；

通过用所述研磨剂摩擦所述绝缘层来刮擦所述绝缘层的表面。

9.一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：

在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、 有源层和上半导体层；

在所述化合物半导体层上形成至少一个电极；

形成绝缘层，以部分地覆盖所述至少一个电极；

通过用研磨剂摩擦所述绝缘层来刮擦所述绝缘层的表面。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述研磨剂包括钻石、SiC、cBN 和DLC中的至少一种。

11.如权利要求9所述的方法，其中，刮擦步骤包括以下步骤：

在超声波清洗设备中准备其中混合有所述研磨剂的溶剂；

将其上形成有所述绝缘层的所述基底放置在所述超声波清洗设备中；

在所述超声波清洗设备中施加超声波，从而通过激活所述研磨剂来刮擦 所述绝缘层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在放置所述基底的步骤中，将所 述基底放置为使得所述绝缘层在所述超声波清洗设备中面向下。

13.如权利要求9所述的方法，其中，形成绝缘层的步骤包括以下步骤：

在其上形成有所述至少一个电极的所述化合物半导体层上形成所述绝缘 层；

执行图案化工艺，用于保留所述绝缘层的上面形成有所述电极的部分， 并去除所述绝缘层的其它部分，

其中，将所述电极图案化，以暴露所述电极的一部分。