[发明专利]基板清洁腔室以及清洁与调节方法

权利要求书

1.一种轮廓顶电极，所述轮廓顶电极用于具有接地环和基板支撑件的 清洁室，其中所述基板支撑件具有基板接收表面与支撑电极，所述顶电极包括：

由金属构成的轮廓顶电极，所述轮廓顶电极包括：

拱形表面，所述拱形表面面对所述基板支撑件，所述拱形表面具有直径， 所述直径大小可以延伸横跨所述基板支撑件的基板接收表面，且所述拱形表面 具有横截面厚度，所述横截面厚度横跨所述基板支撑件而变化，以改变形成在 所述拱形表面与所述基板支撑件的支撑电极间的间隙的尺寸，从而可让所述拱 形表面与所述基板支撑件间形成的等离子体的等离子体密度可横跨所述基板 支撑件而径向地改变；

环状带，所述环状带自所述拱形表面的外围向下延伸通过所述接地环以包 围所述基板支撑件；及

支撑架部，所述支撑架部自所述环状带径向向外延伸。

2.如权利要求1所述的顶电极，其中所述拱形表面延伸横跨所述基板 支撑件的基板接收表面面积的至少70％。

3.如权利要求1所述的顶电极，其中所述拱形表面包括拱形剖面，所 述拱形剖面形成凸状部以提高所述基板支撑件的外围区域相对于所述基板支 撑件的中心区域的等离子体密度。

4.如权利要求3所述的顶电极，其中所述凸状部包括多半径弧形。

5.如权利要求4所述的顶电极，包括围绕所述凸状部的外围凹槽。

6.一种用于在等离子体中蚀刻基板的清洁室，所述清洁室至少包括：

侧壁；

接地环；

基板支撑件，所述基板支撑件具有基板接收表面且包括支撑电极；

轮廓顶电极，所述轮廓顶电极具有金属拱形表面，所述金属拱形表面相对 地面对所述基板支撑件的基板接收表面，所述金属拱形表面延伸横跨所述基板 支撑件的基板接收表面至少70％的面积，由此所述金属拱形表面成形以提供可 横跨所述基板接收表面而径向变化的等离子体密度，所述轮廓顶电极包括：

金属环状带，所述金属环状带接触所述接地环，其中所述金属环状带 自所述金属拱形表面的外围向下延伸通过所述接地环以包围所述基板支撑件 的基板接收表面；及

支撑架部，所述支撑架部自所述金属环状带径向向外延伸，以使所 述金属环状带与所述清洁室的侧壁隔开从而将等离子体限制在基板接收表面 上方；

电极功率供应器，所述电极功率供应器提供电压偏压横跨所述支撑电极与 所述轮廓顶电极；

气体分配器，所述气体分配器将清洁气体导入所述室；

排气装置；及

由此导入所述室并通过所述支撑电极与所述轮廓顶电极激发的清洁气体 可蚀刻所述基板的层。

7.如权利要求6所述的清洁室，其中所述轮廓顶电极的拱形表面包括 凸状部。

8.如权利要求6所述的清洁室，其中所述轮廓顶电极的拱形表面包括 凹状部。

9.如权利要求6所述的清洁室，其中所述基板接收表面包括中心与外 围区域，且其中所述拱形表面包括凸状部，所述凸状部经成形以提高所述基板 支撑件的外围区域相对于中心区域的等离子体密度。

10.如权利要求6所述的清洁室，其中所述拱形表面包括多半径弧形。

11.如权利要求6所述的清洁室，还包括围绕所述拱形表面的外围凹槽。

12.如权利要求6所述的清洁室，其中所述轮廓顶电极包括环状带，所 述环状带自所述拱形表面的外围向下延伸，用以包围所述基板支撑件的所述基 板接收表面。

13.如权利要求6所述的清洁室，其中所述轮廓顶电极由铝构成。

14.如权利要求6所述的清洁室，其中所述支撑电极由钛构成。