[发明专利]制备和使用卤代甲硅烷基锗烷的新方法

权利要求书

1.式(I)的化合物的制备方法， 

Si_xGe_yH_z-aX_a (I) 

其中x为1、2、3或4；y为1、2、3或4，z为2(x+y+1)；a为1至z；以及X为卤素，条件是x与y之和小于或等于5，所述方法包括步骤：(i)在-80℃至25℃的温度下，用式BX₃、AlX₃的化合物、或者金属氯化剂处理分子式Si_xGe_yH_z的化合物。 

2.权利要求1的方法，其中a为1至2(x+y)。 

3.权利要求2的方法，其中a为1。 

4.权利要求2的方法，其用于制备式SiGe_yH_z-aX_a的化合物。 

5.权利要求4的方法，其用于制备式SiGe_yH_z-aCl_a的化合物。 

6.权利要求5的方法，其用于制备式SiGeH_6-aCl_a的化合物。 

7.权利要求1的方法，其中式(I)的化合物为 

氯代(甲锗烷基)硅烷；            

二氯代(甲锗烷基)硅烷； 

氯代(二甲锗烷基)硅烷； 

二氯代(二甲锗烷基)硅烷； 

氯代(三甲锗烷基)硅烷； 

1，2-二甲锗烷基-1-氯二硅烷； 

1，2-二甲锗烷基-1，2-二氯二硅烷； 

1，2-二甲锗烷基-1，1-二氯二硅烷； 

氯代(氯代甲锗烷基)硅烷； 

二氯代(氯代甲锗烷基)硅烷； 

氯代(二氯代甲锗烷基)硅烷；或 

二氯代(二氯代甲锗烷基)硅烷。 

8.权利要求1-7任一项的方法，其进一步包括如下步骤 

(ii)分馏步骤(i)的产物。 

9.权利要求1-7任一项的方法，其中所述反应温度为-25℃至5℃。 

10.权利要求1-4任一项的方法，其中式BX₃的化合物为BCl₃。 

11.权利要求8的方法制成的基本上纯的化合物，该基本上纯的化合物是指化合物纯度大于90％。 

12.权利要求11的基本上纯的化合物，其为氯代(甲锗烷基)硅烷或二氯代(甲锗烷基)硅烷。