[发明专利]用于电子薄膜器件的封装

权利要求书

1.一种用于电子薄膜器件的封装，包括：

-第一阻挡层(108)；

-第二阻挡层(112)；和

-用于减少后续阻挡层中针孔的形成的第一平坦化层(110’)，所述第一平坦化层设置在所述第一阻挡层(108)与所述第二阻挡层(112)之间；

其特征在于，所述第一平坦化层(110’)由第一多个平坦化段(114)构成，所述第一多个平坦化段具有在彼此之间形成的区域，并且所述封装还包括设置在所述第二阻挡层(112)与第三阻挡层(120)之间的第二平坦化层(116)，其中所述第二平坦化层(116)由第二多个平坦化段(118)构成，所述第二多个平坦化段被设置成在所述第一多个平坦化段(114)之间的区域上方延伸，从而进一步减少了提供通过所述封装的通道的针孔的数量。

2.根据权利要求1的封装，其中所述电子薄膜器件包括衬底(100)和在所述衬底(100)上形成的有源层，并且所述第一阻挡层(108)在该有源层之上形成。

3.根据权利要求1或2的封装，其中平坦化段(114，118)的宽度小于10μm。

4.根据权利要求2的封装，其中所述有源层包括发光层(104)、阳极(102)和阴极(106)。

5.根据前面权利要求中任何一项的封装，其中所述电子薄膜器件为有机发光器件(OLED)。

6.根据前面权利要求中任何一项的封装，其中所述阻挡层(108，112，120)中的至少一个由氮化硅(SiN)层形成。

7.根据前面权利要求中任何一项的封装，其中所述阻挡层(108，112，120)中的至少一个由具有大约1微克/m²/天的水分渗透率的阻挡层形成。

8.一种形成用于电子薄膜器件的封装的方法，包括步骤：

-形成第一阻挡层(108)；

-将第一平坦化层(110’)设置在所述第一阻挡层(108)之上，该第一平坦化层(110’)被提供用于减少后续阻挡层中针孔的形成；以及

-在所述第一平坦化层(110’)之上形成第二阻挡层(112)，其特征在于，所述第一平坦化层(110’)由第一多个平坦化段(114)构成，所述第一多个平坦化段具有在彼此之间形成的区域，其中所述方法还包括步骤：

-将第二平坦化层(116)设置在所述第二阻挡层(112)之上；以及

-在所述第二平坦化层(116)之上形成第三阻挡层(120)，

其中所述第二平坦化层(116)由第二多个平坦化段(118)构成，所述第二多个平坦化段被设置成在所述第一多个平坦化段(114)之间的区域上方延伸，从而进一步减少了提供通过所述封装的通道的针孔的数量。

9.根据权利要求8的方法，其中所述电子薄膜器件包括衬底(100)和在所述衬底(100)上形成的有源层，并且所述第一阻挡层(108)在该有源层之上形成。

10.根据权利要求8或9的方法，其中平坦化段(114，118)的宽度小于10μm。

11.根据权利要求9或10的方法，其中所述有源层包括发光层(104)、阳极(102)和阴极(106)。

12.一种有机发光器件(OLED)，包括：

-衬底(100)；

-在所述衬底(100)之上形成的多层叠层，该多层叠层包括发光层(104)、阳极(102)和阴极(106)；以及

-根据权利要求1的封装，其中该封装设置在所述多层叠层之上以便封装所述有机发光器件。