[发明专利]树脂组合物、树脂衬热用膜及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及树脂组合物、树脂衬垫用膜及半导体装置。

背景技术

近年来，寻求一种在半导体晶片等上粘接感光性膜，并通过曝光、显影而形成图案后，能与玻璃等透明基板压粘的感光性膜(例如，参照专利文献1：JP特开2006-323089号公报)。采用这种感光性膜时，形成图案后的感光性膜在半导体晶片与透明基板之间具有衬垫的作用。

该衬垫用树脂组合物，除要求能够采用光刻法形成图案外，还要求能够作为衬垫保持形状。

另外，如上所述，衬垫用树脂组合物，由于要经过曝光、显影的工序，因此，还要求优良的显影性。

发明内容

本发明的目的是，提供一种作为树脂衬垫的形状保持功能优良的、并且显影性也优良的树脂组合物以及采用该树脂组合物的树脂衬垫用膜。

另外，本发明的又一目的是，提供一种通过由上述树脂组合物的固化物构成的树脂衬垫接合半导体元件与基板的半导体装置。

为了实现上述目的，提供下述[1]～[6]中记载的本发明。

[1]一种树脂组合物，其是用于作为树脂衬垫使用的树脂组合物，所述树脂衬垫用于在基板与半导体元件之间形成空隙部，其特征在于，上述树脂组合物含有碱溶性树脂、光聚合性树脂、粒状填充材料，上述填充材料的平均粒径为0.05～0.35μm，上述填充材料的含量为1～40重量％。

[2]按照上述[1]所述的树脂组合物，其中，上述填充材料含有二氧化硅。

[3]按照上述[1]所述的树脂组合物，其中，上述树脂组合物还含有与上述碱溶性树脂不同的热固性树脂。

[4]一种树脂衬垫用膜，其特征在于，由上述[1]所述的树脂组合物构成。

[5]按照上述[4]所述的树脂衬垫用膜，其中，在下述(1)～(3)的条件下测定时，上述树脂衬垫用膜的弹性模量为500Pa以上，

(1)树脂衬垫用膜的厚度：100μm；

(2)用700mJ/cm²照射紫外线后的树脂衬垫用膜；

(3)测定温度：130℃。

[6]一种半导体装置，其特征在于，通过上述[1]所述的树脂组合物的固化物构成的树脂衬垫，接合基板与半导体元件。

附图说明

图1是表示半导体装置的一个实例的剖面图。

图2是示意地表示半导体装置的制造工序的剖面图。

图3是表示另一半导体装置的一个实例的剖面图。

具体实施方式

下面，对本发明的树脂组合物、树脂衬垫用膜及半导体装置进行详细说明。

本发明的树脂组合物，其是用于作为树脂衬垫使用的树脂组合物，所述树脂衬垫用于在基板与半导体元件之间形成空隙部，其特征在于，上述树脂组合物含有碱溶性树脂、光聚合性树脂、粒状填充材料，上述填充材料的平均粒径为0.05～0.35μm以下，上述填充材料的含量为1～40重量％。

另外，本发明的树脂衬垫用膜，其特征在于，由上述记载的树脂组合物构成。

另外，本发明的半导体装置，其特征在于，通过由上述技术方案[1]～[3]中任意一项所述的树脂组合物的固化物构成的树脂衬垫，接合基板与半导体元件。

首先，对树脂组合物及树脂衬垫用膜进行说明。

本发明的树脂组合物，是用于作为树脂衬垫4使用的树脂组合物，所述树脂衬垫4用于在如图1所示的半导体装置100的基板1与半导体元件2之间形成空隙部3。

该种树脂组合物，其特征在于，含有碱溶性树脂、光聚合性树脂、粒状填充材料，上述填充材料的平均粒径为0.05～0.35μm以下，上述填充材料的含量为1～40重量％。由此，树脂衬垫4的形状保持性优良且显影性(特别是显影处理后的残渣减少)优良。

上述树脂组合物，含有碱溶性树脂。由此，可以进行碱显影。作为上述碱溶性树脂，例如，可以举出甲酚型、苯酚型、双酚A型、双酚F型、邻苯二酚型、间苯二酚型、邻苯三酚型等酚醛清漆树脂；苯酚芳烷基树脂、羟基苯乙烯树脂、甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸酯树脂等丙烯酸类树脂；含有羟基、羧基等的环状烯烃系树脂；聚酰胺系树脂(具体地，可以举出具有聚苯并噁唑结构及聚酰亚胺结构的至少1种结构且主链或侧链上有羟基、羧基、醚基或酯基的树脂；具有聚苯并噁唑前驱体结构的树脂；具有聚酰亚胺前驱体结构的树脂；具有聚酰胺酸酯结构的树脂等)等。

另外，作为上述碱溶性树脂，更优选地，可以举出具有碱溶性基及双键的树脂。

作为上述具有碱溶性基及双键的树脂，例如，可以举出能通过光及热两者加以固化的固化性树脂。