[发明专利]用于薄膜钝化的双靶溅射系统及用该系统形成薄膜的方法有效
申请号: | 200880017658.6 | 申请日: | 2008-04-24 |
公开(公告)号: | CN101681816A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 李相铉;柳道铉 | 申请(专利权)人: | 塔工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 薄膜 钝化 溅射 系统 形成 方法 | ||
1.一种用于薄膜钝化的双靶溅射系统,包括:
真空室;
基底支承件,在所述真空室内支承基底;
一对溅射枪,每个溅射枪均朝向所述基底,并包括向一 侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在所述轭板上 的多个磁体;
靶,分别安装在一对所述轭板上;
枪支承件,支承所述一对溅射枪;以及
电源,向所述靶提供电流,
其中,所述多个磁体中的每个均包括上部和下部,所述 上部和下部形成一体并且磁极彼此不同,并且所述多个磁体排 成一行,并且其中,所述枪支承件或所述基底支承件在所述室 内可移动。
2.根据权利要求1所述的双靶溅射系统,其中,所述一对溅射枪 彼此相对。
3.根据权利要求2所述的双靶溅射系统,其中,所述靶分别安装 在所述一对溅射枪的相对两侧上。
4.根据权利要求3所述的双靶溅射系统,其中,所述基底包括用 于有机发光二极管的大型基底。
5.根据权利要求4所述的双靶溅射系统,其中,所述枪支承件或 所述基底支承件根据所述靶之间的距离、所述靶和所述基底之 间的距离、喷入所述室内的反应气体的比率、或由所述电源供 给的功率而以可调节的速度移动。
6.根据权利要求4所述的双靶溅射系统,其中,在所述基底上形 成薄膜的速度根据所述靶之间的距离、所述靶和所述基底之间 的距离、喷入所述室内的反应气体的比率、或由所述电源供给 的功率而可调节。
7.一种用于薄膜钝化的双靶溅射系统,包括:
真空室;
多个基底支承件,在所述真空室内分别支承多个基底;
一对溅射枪,每个溅射枪朝向各自的基底,并包括向一 侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在所述轭板上 的多个磁体;
靶,分别安装在一对所述轭板上;
枪支承件,支承所述一对溅射枪;以及
电源,向所述靶提供电流,
其中,所述多个磁体中的每个均包括上部和下部,所述 上部和下部形成一体并且磁极彼此不同,并且所述多个磁体排 成一行,并且其中,所述溅射枪在所述室内移动以对每个所述 基底进行薄膜钝化。
8.根据权利要求7所述的双靶溅射系统,其中,所述一对溅射枪 彼此相对。
9.根据权利要求8所述的双靶溅射系统,其中,所述靶分别安装 在所述一对溅射枪的相对两侧上。
10.根据权利要求9所述的双靶溅射系统,其中,所述基底包括用 于有机发光二极管的基底。
11.根据权利要求10所述的双靶溅射系统,其中,所述溅射枪的 移动速度根据所述基底上的薄膜的形成速度和均匀性、所述靶 之间的距离、所述靶和所述基底之间的距离、喷入所述室内的 反应气体的比率、或由所述电源供给的功率而可调节。
12.一种用于超高速薄膜钝化的双靶溅射系统,包括:
真空室;
基底支承件,在所述真空室内支承基底;
多个溅射枪,每个溅射枪均朝向所述基底,并包括向一 侧或相对两侧打开的轭板以及以规则间隔布置在所述轭板上 的多个磁体;
靶,分别安装在一对所述轭板上;
多个枪支承件,分别支承所述多个溅射枪;以及
电源,向所述靶提供电流,
其中,所述多个磁体中的每个均包括上部和下部,所述 上部和下部形成一体并且磁极彼此不同,并且所述多个磁体排 成一行,并且其中,所述基底在所述室内移动以受到每个所述 溅射枪的薄膜钝化。
13.根据权利要求12所述的双靶溅射系统,其中,成对的溅射枪 彼此相对。
14.根据权利要求13所述的双靶溅射系统,其中,所述靶分别安 装在所述成对的溅射枪的相对两侧上。
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