[发明专利]高效率太阳能电池、其制造方法和制造设备

权利要求书

1.一种高效率太阳能电池，其包括：

透明基底；

位于所述透明基底上的第一电极；

位于所述第一电极上的第一杂质掺杂半导体层；

位于所述第一杂质掺杂半导体层上的第二本征半导体层，所述第 二本征半导体层具有逐渐变化的结晶度，所述逐渐变化的结晶度通过 加热位于所述第一杂质掺杂半导体层上的非晶硅的第一本征半导体 层，使所述第一本征半导体层的全部的非晶硅的30％到40％通过快 速热制造过程结晶而形成；

位于所述第二本征半导体层上的第二杂质掺杂半导体层；及

位于所述第二杂质掺杂半导体层上的第二电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第二本征半导体 层包括线性结晶硅，以便所述第二本征半导体层的结晶度沿着从所述 第二本征半导体层的底部表面到顶部表面的方向线性地变化。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其还包括位于所述第二本 征半导体层与所述第二杂质掺杂半导体层之间的金属层。

4.一种制造太阳能电池的设备，其包括：

传送腔室，包括用以传送基底的传送装置；

加载互锁真空腔室，连接到所述传送腔室的第一侧部分，所述加 载互锁真空腔室交错地呈真空状态与大气压力状态，以输入、输出所 述基底；

第一处理腔室，连接到所述传送腔室的第二侧部分，所述第一处 理腔室在所述基底上的第一电极上形成第一杂质掺杂半导体层；

第二处理腔室，连接到所述传送腔室的第三侧部分，所述第二处 理腔室在所述第一杂质掺杂半导体层上形成非晶硅的第一本征半导 体层；

第三处理腔室，连接到所述传送腔室的第四侧部分，所述第三处 理腔室加热所述第一本征半导体层，使所述第一本征半导体层的全部 的非晶硅的30％到40％通过快速热制造过程而结晶，以形成具有逐 渐变化的结晶度的第二本征半导体层；及

第四处理腔室，连接到所述传送腔室的第五侧部分，所述第四处 理腔室在所述第二本征半导体层上形成第二杂质掺杂半导体层。

5.一种制造太阳能电池的设备，其包括：

装载腔室，交错地呈真空状态与大气压力状态，用以输入基底；

第一处理腔室，连接到所述装载腔室的一侧部分，所述第一处理 腔室在所述基底上的第一电极上形成第一杂质掺杂半导体层；

第二处理腔室，连接到所述第一处理腔室的一侧部分，所述第二 处理腔室在所述第一杂质掺杂半导体层上形成非晶硅的第一本征半 导体层；

第三处理腔室，连接到所述第二处理腔室的一侧部分，所述第三 处理腔室加热所述第一本征半导体层，使所述第一本征半导体层的全 部的非晶硅的30％到40％通过快速热制造过程而结晶，以形成具有 逐渐变化的结晶度的第二本征半导体层；

第四处理腔室，连接到所述第三处理腔室的一侧部分，所述第四 处理腔室在所述第二本征半导体层上形成第二杂质掺杂半导体层；及

卸载腔室，连接到所述第四处理腔室的一侧部分，所述卸载腔室 交错地呈真空状态与大气压力状态，用来输出所述基底。

6.一种制造太阳能电池的方法，其包括：

在透明基底上依序形成第一电极与第一杂质掺杂半导体层；

在所述第一杂质掺杂半导体层上形成非晶硅的第一本征半导体 层；

结晶所述第一本征半导体层，使所述第一本征半导体层的全部的 非晶硅的30％到40％通过快速热制造过程而结晶，以形成具有逐渐 变化的结晶度的第二本征半导体层；及

在所述第二本征半导体层上依序形成第二杂质掺杂半导体层与 第二电极。