[发明专利]用于半导体器件制造的多次毫秒退火

权利要求书

1.一种形成掺杂区的方法，该方法包括如下步骤：

将掺杂剂注入到半导体衬底中的区域中，其中，所述区域包括用不同于所述半导体衬底的其余区域且具有比所述半导体衬底的其余区域低的熔融温度的半导体材料来外延地生长的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区；

使用激光器在所述区域中执行第一退火，其中：

所述第一退火具有第一温度和第一停留时间；以及

所述半导体衬底在所述第一退火期间相对于所述激光器移动；

在执行所述第一退火之后使用所述激光器在所述区域中执行第二退火，其中：

所述第二退火具有第二温度和第二停留时间；

所述半导体衬底在所述第二退火期间相对于所述激光器移动；

在所述第二退后之后，所述区域被再结晶，并且所述掺杂剂在所述区域中被活化；以及

在所述区域中用所述激光器执行附加激光器退火以便在不使不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区熔融的情况下改善掺杂剂活化，所述附加激光器退火用低于不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区的熔融条件的停留时间和温度来执行，并将相应的掺杂剂活化改善至否则将需要高于不同材料的源极/漏极扩展区和/或源极/漏极区的熔融条件的停留时间和温度的程度。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述第一温度是约1325摄氏度，且所述第二温度是约1325摄氏度。

3.根据权利要求2的方法，其中，所述第一停留时间和所述第二停留时间约为0.8毫秒。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述第一温度在约1200摄氏度与约1300摄氏度之间，而所述第二温度大于约1300摄氏度。

5.根据权利要求4的方法，其中，所述第一停留时间小于约0.8毫秒，而所述第二停留时间大于约0.8毫秒。

6.根据权利要求5的方法，其中，所述第一温度是约1275摄氏度，而所述第二温度是约1375摄氏度。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述第一停留时间约为1.2毫秒，而所述第二停留时间约为0.5毫秒。

8.根据权利要求1的方法，其中，将掺杂剂注入到半导体衬底中的区域中的步骤包括：将掺杂剂注入源极/漏极扩展区和源极/漏极区中。

9.根据权利要求1的方法，还包括如下步骤：

使用激光器在所述区域中执行第三退火，其中，所述第三退火在所述第一退火之后且在所述第二退火之前执行。

10.根据权利要求1的方法，其中，所述激光器包括连续波激光器。