[发明专利]在间距加倍工艺期间隔离阵列特征的方法和具有经隔离阵列特征的半导体装置结构

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其包括：

在衬底上形成多个特征，所述多个特征中的每一特征包括具有第一宽度的中部区 以及至少一个具有第二宽度的末端，所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及

在所述多个特征中的每一特征上形成间隔物侧壁，所述间隔物侧壁在所述多个特 征的所述至少一个末端处彼此实质上接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括形成所述多个特征的 具有比所述多个特征的所述至少一个末端的所述宽度小的宽度的所述中部区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括形成所述多个特征的 彼此实质上邻近且分隔一距离的所述至少一个末端。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括由抗蚀剂材料形成所 述多个特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括形成所述多个特征的 彼此交错且分隔一距离的所述至少一个末端。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括形成在所述多个特征 的所述至少一个末端之间具有小于或等于所述多个特征之间的间距的一半的距离 的所述多个特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成多个特征包括通过第一空间而分隔 所述多个特征中的每一者，其中所述第一空间的末端的宽度小于所述第一空间的中 部区的宽度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述多个特征中的每一特征上形成间隔物侧壁 包括以大于或等于邻近特征的末端之间的距离的一半的厚度沉积所述间隔物侧壁。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括移除所述多个特征以形成包括第二空间 和所述间隔物侧壁的图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将包括所述第二空间和所述间隔物侧壁 的所述图案转印到所述衬底。

11.一种半导体装置结构，其包括：

在衬底上的多个特征，其中所述多个特征的末端比所述多个特征的中部区宽；

在所述多个特征之间的空间，其中所述空间的末端比所述空间的中部区窄；以及 间隔物侧壁，其围绕所述多个特征中的每一者，其中所述间隔物侧壁在所述多个 特征的所述末端之间彼此实质上接触。

12.根据权利要求11所述的半导体装置结构，其中所述多个特征包括抗蚀剂材料。

13.根据权利要求11所述的半导体装置结构，其中围绕所述多个特征中的每一者的所 述间隔物侧壁实质上填充所述多个特征中的每一者之间的所述空间的所述末端。

14.根据权利要求13所述的半导体装置结构，其中邻近间隔物侧壁隔离所述多个特征 之间的所述空间。

15.根据权利要求11所述的半导体装置结构，其中所述多个特征的所述末端包括T形 状或L形状。

16.一种半导体制造方法，其包括：

在衬底上形成彼此紧邻定位的多个细长特征，所述多个特征中的第一特征的末端 被定向为接近所述多个特征中的第二特征的末端；以及

在所述多个细长特征中的每一特征上形成间隔物侧壁，在所述第一特征的一侧上 的邻近于所述第一特征的所述末端的所述间隔物侧壁接触在所述第二特征的一侧 上的邻近于所述多个特征中的所述第二特征的所述末端的所述间隔物侧壁。

17.一种半导体装置结构，其包括：

在衬底上彼此紧邻定位的多个细长特征，所述多个特征中的第一特征的末端被定 向为接近所述多个特征中的其余特征的末端；

在所述多个特征中的所述第一特征的所述末端与所述其余特征的所述末端之间 的空间；以及

间隔物侧壁，其在所述第一特征的一侧上，邻近于所述第一特征的所述末端，接 触在第二特征的一侧上的邻近于所述多个特征中的所述第二特征的末端的间隔物 侧壁。

18.根据权利要求17所述的半导体装置结构，其中所述间隔物侧壁实质上填充所述多 个特征中的所述第一特征与所述其余特征之间的所述空间。