[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法有效
申请号: | 200880018349.0 | 申请日: | 2008-06-03 |
公开(公告)号: | CN101681093A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 叶军;曹宇;冯函英 | 申请(专利权)人: | 睿初科技公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 实施 基于 模型 光刻 引导 布局 设计 方法 | ||
1.一种用于在掩模布局中布置亚分辨辅助特征的方法,包括步骤:
产生用于所述掩模布局的亚分辨辅助特征引导图,其中所述亚分辨辅 助特征引导图是这样的图像:即,在所述图像中如果像素被包括作为亚分 辨辅助特征的一部分,则每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局 中的特征的边缘行为提供正面贡献;和
根据所述亚分辨辅助特征引导图在所述掩模布局中布置亚分辨辅助 特征,
其中,产生亚分辨辅助特征引导图的步骤包括:
计算所述掩模布局的图像梯度图;
对于在所述掩模布局中的每一个场点,采用所述图像梯度图计算在所 述场点处单元源的总的表决和;和
在所述亚分辨辅助特征引导图中分配值,其中在所述亚分辨辅助特征 引导图中像素处的所述值是在所述掩模布局中对应场点处的总的表决和。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,计算在所述场点处单元源的总 的表决和是在频率域中执行的并且包括步骤:
计算表示曝光工具的光学路径的传递交叉系数的最重要的本征向量 的逆傅里叶变换;
计算所述掩模布局的傅里叶变换;
将所述逆傅里叶变换乘以频率的平方和和所述掩模布局的傅里叶变 换以产生乘积结果;和
计算所述乘积结果的逆傅里叶变换以产生所述亚分辨辅助特征引导 图。
3.一种具有包括亚分辨辅助特征的掩模布局的掩模,其中所述亚分辨 辅助特征根据亚分辨辅助特征引导图进行布置,其中所述亚分辨辅助特征 引导图是这样的图像:即,在所述图像中如果像素被包括作为亚分辨辅助 特征的一部分,则每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特 征的通过焦距和通过剂量边缘行为提供正面贡献。
4.一种用于在掩模布局内确定一个或更多个特征的位置的方法,包括 步骤:
在所述掩模布局内布置第一特征;
基于所述第一特征的布置执行掩模模拟,其中执行所述掩模模拟的步 骤包括产生亚分辨辅助特征引导图,其中所述亚分辨辅助特征引导图是这 样的图像,即:如果像素被包括作为附加特征的一部分,则每个像素值指 示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的通过焦距和通过剂量边缘 行为提供正面贡献,所述产生亚分辨辅助特征引导图的步骤包括:计算所 述掩模布局的图像梯度图;对于在所述掩模布局中的每一个场点,采用所 述图像梯度图计算在所述场点处单元源的总的表决和;和在所述亚分辨辅 助特征引导图中分配值,其中在所述亚分辨辅助特征引导图中像素处的所 述值是在所述掩模布局中对应场点处的总的表决和;和
基于从所述模拟中获得的结果确定用于在所述掩模布局中布置第二 特征的位置。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括步骤:
在所确定的位置布置所述第二特征;和
基于前面布置的特征反复地重复执行掩模模拟的步骤,确定用于在所 述掩模布局内布置另一特征的位置,并且布置所述另一特征直到所需数目 的特征已经布置在所述掩模布局中。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括步骤:采用OPC最优化所述 掩模布局。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括步骤:采用分辨率增强技术最 优化所述掩模布局。
8.根据权利要求5所述的方法,还包括步骤:产生多个布局引导图, 其中每个布局引导图表示掩模布局的模拟的成像性能。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述每个布局引导图包括具有 多个像素值的两维图像,基于一个或更多个所述像素值计算特征的所述布 置。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,每个所述像素值表示对布置 在所述像素上的一部分特征的所述掩模布局内的一个或更多个图案的可 印刷性的影响。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,对可印刷性的所述影响是负 面的影响。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,布置在所述像素上的所述部 分特征提高所述一个或更多个图案的可印刷性。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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