[发明专利]通过向清洁溶液施加周期性的切变应力清洁半导体晶片表面的方法

权利要求书

1.一种清洁方法，包含：

提供具有表面的晶片，该表面上有微粒；

在该表面上提供清洁剂，该清洁剂包括悬浮于其中的一 个或多个分散的耦合组分，其中该耦合组分是固体；以及

向该清洁剂施加外部能量，该向该清洁剂施加外部能量 在该清洁剂内产生周期性的切变应力，

其中该周期性的切变应力对该一个或多个该耦合组分中 的至少一个施加一个力，该力使得该一个或多个该耦合组分中 的该至少一个与该微粒相互作用以从该表面除去该微粒，其中 该力是由牵引或动量或其结合限定的。

2.如权利要求1所述的清洁方法，其中向该清洁剂施加外部能量 包括使用声处理、压电激励、空穴作用和蒸发作用中的一个或 多个施加该外部能量。

3.如权利要求1所述的清洁方法，其中向该清洁剂施加外部能量 包括使用兆频超声和压声激励中的一个或多个施加该外部能 量。

4.如权利要求2或3所述的清洁方法，其中该外部能量是经由该 晶片施加到该清洁剂的，其中该晶片将该外部能量传递到该清 洁剂。

5.如权利要求2或3所述的清洁方法，其中该外部能量是从受限 源直接施加到该清洁剂的。

6.如权利要求1所述的清洁方法，其中该外部能量是频率为600 千赫兹到3兆赫兹的兆频超声声波能量。

7.如权利要求1所述的清洁方法，其中该外部能量是频率为50 赫兹到100千赫兹的超声能量。

8.如权利要求1所述的清洁方法，其中该相互作用是由该一个或 多个耦合组分中的该至少一个与该微粒之间的机械耦合、化学 耦合或静电耦合中的一个或多个限定的。

9.如权利要求8所述的清洁方法，其中该机械耦合是由该一个或 多个耦合组分中的该至少一个和该微粒之间的粘着限定的，从 而该微粒与该一个或多个耦合组分中的该至少一个一起被拉 离该表面。

10.如权利要求8所述的清洁方法，其中该机械耦合是由该一个或 多个耦合组分中的该至少一个和该微粒之间的物理冲撞限定 的，从而从该一个或多个耦合组分中的该至少一个到该微粒的 能量传递导致微粒从该表面脱离。

11.如权利要求8所述的清洁方法，其中该化学耦合是由该一个或 多个耦合组分中的该至少一个和该微粒之间的物理接触和化 学相容限定的，该物理接触有助于该一个或多个耦合组分中的 该至少一个和该微粒之间的化学粘着。

12.如权利要求8所述的清洁方法，其中该静电耦合是由该一个或 多个耦合组分中的该至少一个和该微粒之间的吸引或排斥作 用限定的。

13.如权利要求1所述的清洁方法，其中该清洁剂包括以下各项之 一：

液体组分、气体组分和固体组分；或

液体组分和固体组分。

14.如权利要求13所述的清洁方法，其中该固体组分对应该一个 或多个分散的耦合组分。

15.如权利要求14所述的清洁方法，其中该固体组分是由脂族酸、 蜡和聚合物中的一种材料制成的。

16.如权利要求14所述的清洁方法，其中该固体组分是由石蜡、 聚苯乙烯、多肽和脂肪酸中的一种材料制成的。

17.如权利要求14所述的清洁方法，其中该固体组分是由黏弹材 料制成的。

18.如权利要求14所述的清洁方法，其中该固体组分是由羧酸制 成的。