[发明专利]在基板间隙中形成氧化物牺牲衬层的氧气SACVD方法

权利要求书

1.一种形成和去除氧化物牺牲层的方法，该方法包括：

在基板上形成阶梯(step)，其中该阶梯具有顶部和侧壁；

通过分子氧和含硅前驱物的化学气相沉积在该阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物牺牲层形成在该阶梯的顶部和侧壁上；

去除该氧化物牺牲层和该阶梯的顶部部分，同时留下该氧化物牺牲层的剩余部分，该剩余部分包括至少部分上述侧壁；

去除通过去除该阶梯而暴露出的该基板的部分，以形成蚀刻基板；以及

从该蚀刻基板中去除该氧化物牺牲层的该剩余部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中该阶梯包括光刻剂材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中该光刻剂材料包括含碳化合物。

4.如权利要求2所述的方法，其中该光刻剂材料包括非晶碳薄膜。

5.如权利要求1所述的方法，其中该含硅前驱物包括有机硅烷或有机硅氧烷化合物。

6.如权利要求1所述的方法，其中该含硅前驱物包括四乙氧基硅烷(TEOS)。

7.如权利要求1所述的方法，其中在该氧化物牺牲层形成期间，该基板被加热至约600℃或更低的温度。

8.如权利要求1所述的方法，其中在该氧化物牺牲层形成期间，沉积室中总压力为约100托(Torr)或更高。

9.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物牺牲层在沉积时的厚度为约～约

10.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物牺牲层以约/分钟～约/分钟的速率沉积。

11.如权利要求1所述的方法，其中在该氧化物牺牲层形成期间，该含硅前驱物的流速为约4000mgm，而该分子氧的流速为约30slm。

12.如权利要求1所述的方法，其中使用氟蚀刻剂通过干式化学蚀刻法去除该氧化物牺牲层。

13.如权利要求1所述的方法，其中在缺乏臭氧的情况下完成该氧化物牺牲层的形成过程。

14.一种在光刻(photolithography)过程中引入氧化物牺牲层的方法，该方法包括：

在基板上形成第一光刻剂层和第二光刻剂层；

图案化该第二光刻剂层以形成阶梯，该阶梯具有顶部和侧壁；

通过分子和TEOS的化学气相沉积在该阶梯周围形成该氧化物牺牲层，其中该氧化物牺牲层形成在该阶梯的顶部和上述侧壁上；

去除该氧化物牺牲层和该阶梯的顶部部分，同时留下该氧化物牺牲层的剩余部分；

去除该第一光刻剂层通过去除该阶梯而暴露出的部分；

去除通过去除该第一光刻剂层的上述部分而暴露出的该下方基板的部分，以在该基板中形成蚀刻间隙；以及

从该蚀刻基板中去除该氧化物牺牲层的该剩余部分。

15.如权利要求14所述的方法，其中该第一光刻剂层和该第二光刻剂层包括碳。

16.如权利要求14所述的方法，其中该第一光刻剂层和该第二光刻剂层包括高级图案化薄膜(Advanced Pattering Film)。

17.如权利要求14所述的方法，其中蚀刻至该基板中的该间隙的宽度为约40nm或更小。

18.如权利要求14所述的方法，其中蚀刻至该基板中的该间隙的宽度为约32nm或更小。

19.如权利要求14所述的方法，其中蚀刻至该基板中的该间隙的宽度为约40nm～约22nm。

20.如权利要求14所述的方法，其中在该氧化物牺牲层沉积期间，总压力为至少500托(Torr)。

21.如权利要求14所述的方法，其中在该氧化物牺牲层沉积期间，该基板系被加热至约400℃～约450℃的温度。

22.如权利要求14所述的方法，其中该氧化物牺牲层在沉积时的厚度为约～约

23.如权利要求14的所述之方法，其中该氧化物牺牲层以约/分钟～约/分钟的速率沉积。

24.如权利要求14所述的方法，其中在缺乏臭氧的情况下完成该氧化物牺牲层的形成过程。