[发明专利]作为电极材料的高导电透明碳膜有效
申请号: | 200880018550.9 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101679788A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | K·米伦;X·王;L·支 | 申请(专利权)人: | 马普科技促进协会 |
主分类号: | C09D5/24 | 分类号: | C09D5/24;C01B31/00;H01L51/52;G01N27/30;H01L31/0224 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李 帆 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 作为 电极 材料 导电 透明 | ||
1.透明导电碳膜的制造方法,包括步骤
(i)将盘状前体的溶液涂布到基底上,和
(ii)将涂布的基底在保护气体下加热至400-2000℃的温度,
其中该盘状前体选自超非那烯、六苯并蔻(HBC)、间二蒽嵌四并 苯、蔻、苝、芘;沥青、源自煤或石油的重油;或由任何石墨的化学 或物理膨化制成的膨胀石墨或源自石墨氧化物的膨胀石墨。
2.根据权利要求1的方法,其中对厚度30纳米-4纳米的碳膜而 言,制成的透明碳膜在700纳米波长下具有60-95%的透射率。
3.根据权利要求1或2的方法,用于制造透明导电碳膜,其中制 成的碳膜具有最多30kohm/sq的薄层电阻。
4.根据权利要求1或2的方法,其中该盘状前体选自具有至少三 个芳环的低聚芳烃或多环芳烃。
5.根据权利要求1或2的方法,其中制成的碳膜具有≤50纳米 的厚度。
6.根据权利要求1或2的方法,其中该基底是透明基底。
7.根据权利要求1或2的方法,其中该基底由玻璃、石英、蓝宝 石或聚合物构成。
8.根据权利要求1或2的方法,其中通过旋涂、喷涂、浸涂、分 区浇注、提升式沉积或朗缪尔-布罗基特法将该盘状前体涂布到基底 上。
9.根据权利要求1或2的方法,其中所述保护气体是惰性气体或 还原气体。
10.根据权利要求9的方法,其中所述惰性气体选自氮气或稀有 气体。
11.根据权利要求10的方法,其中所述稀有气体是Ar。
12.根据权利要求9的方法,其中所述还原气体是H2。
13.根据权利要求1或2的方法,其中将该涂布的基底加热至 500-1500℃。
14.根据权利要求1或2的方法,其中在步骤(i)中,形成平坦 排列的盘状结构。
15.根据权利要求14的方法,其特征在于通过加热实现平坦排列 的盘状结构的连接。
16.根据权利要求1或2的方法,其特征在于在步骤(ii)中, 缓慢升温以便不导致盘状前体的熔融。
17.根据权利要求1或2的方法,其特征在于以小于或等于10℃ /分钟的加热速率进行加热。
18.根据权利要求1或2的方法,其特征在于以小于或等于5℃/ 分钟的加热速率进行加热。
19.透明导电碳膜,其能够通过权利要求1-18任一项的方法获 得。
20.电极,其包含根据权利要求19的碳膜。
21.根据权利要求20的电极的用途,其用于液晶显示器、平板显 示器、等离子显示器、触摸板、电子油墨用途、激光、光学通讯器件、 发光二极管或太阳能电池。
22.光电子器件,其包含根据权利要求20所述的电极。
23.根据权利要求22的光电子器件,该光电子器件是光电二极管, 包括太阳能电池、光电晶体管、光电倍增管、集成光路(IOC)元件、光 敏电阻器、注入式激光二极管或发光二极管。
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