[发明专利]在非平面表面上沉积材料的方法

权利要求书

1.一种将半导体加工到衬底上的方法，该方法包括：

a.提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出 口可操作地允许至少一个衬底穿过；

b.使所述至少一个衬底沿所述平移路径平移穿过所述半导体加工 腔，所述平移路径是所述加工腔的所述入口和所述出口之间的路径；

c.当所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工 腔时旋转所述衬底；以及

d.当所述至少一个衬底沿所述平移路径旋转和平移的同时在所述 至少一个衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个衬底的表面区域 的至少一部分暴露于所述半导体加工，

其中所述衬底是非平面的，所述半导体加工是溅射沉积、反应性溅 射沉积或蒸发沉积，所述半导体加工腔包括沉积腔。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个衬底与多个其它 衬底一起加载在托盘上以提高通量。

3.如权利要求1所述的方法，其中旋转速率作为以下变量的函数 来确定，所述变量包括类型和加工温度、沉积的材料、期望的沉积厚 度、所述加工腔中的环境温度、所述加工腔中真空条件的质量和期望的 沉积面积。

4.如权利要求1所述的方法，其中平移速率作为以下变量的函数 来确定，所述变量包括类型和加工温度、沉积的材料、期望的沉积厚 度、所述加工腔中的环境温度、所述加工腔中真空条件的质量和期望的 沉积面积。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转 所述至少一个衬底。

6.一种形成半导体装置的方法，该方法包括：

a.提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出 口可操作地允许至少一个非平面衬底穿过；

b.使所述至少一个非平面衬底移动穿过所述半导体加工腔，其中 所述移动包括同时进行以下动作：

i.旋转所述至少一个非平面衬底；和

ii.使所述非平面衬底沿平移路径平移穿过所述半导体加工腔，所 述平移路径是所述加工腔的所述入口和所述出口之间的路径；以及

c.在移动所述至少一个非平面衬底穿过所述半导体加工腔的同 时，将半导体材料层沉积到所述非平面衬底上，所述层包括所述至少一 个非平面衬底的至少75％圆周，

其中所述沉积是溅射沉积、反应性溅射沉积或蒸发沉积，所述半导 体加工腔包括沉积腔。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述至少一个非平面衬底与多 个其它非平面衬底一起加载在托盘上以提高通量。

8.如权利要求6所述的方法，其中旋转速率作为以下变量的函数 来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚 度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面 积。

9.如权利要求6所述的方法，其中平移速率作为以下变量的函数 来确定，所述变量包括类型和处理温度、沉积的材料、期望的沉积厚 度、加工腔中的环境温度、加工腔中真空条件的质量和期望的沉积面 积。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述旋转包括围绕纵向轴旋转 所述至少一个非平面衬底。

11.一种在非平面表面上沉积材料的方法，该方法包括：

a.提供具有入口和出口的沉积腔，其中所述入口和所述出口可操 作地允许至少一个非平面衬底穿过；

b.使所述至少一个非平面衬底沿平移路径平移穿过所述沉积腔， 所述平移路径是所述沉积腔的所述入口和所述出口之间的路径；

c.当所述至少一个非平面衬底沿平移路径移动穿过所述沉积腔 时，旋转所述至少一个非平面衬底；以及

d.当所述至少一个非平面衬底沿所述平移路径旋转和平移的同 时，在所述至少一个非平面衬底上进行至少一次半导体沉积，从而使得 所述至少一个非平面衬底的表面区域的至少一部分暴露于所述半导体沉 积，

其中所述半导体沉积是溅射沉积、反应性溅射沉积或蒸发沉积。