[发明专利]薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法、电极形成方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管的薄膜晶体管制造方法，该薄膜晶体管具 有：栅极电极，与玻璃基板紧贴配置；栅极绝缘膜，配置在所述栅极电 极的上表面，由氮化硅薄膜构成；半导体层，配置在所述栅极绝缘膜上， 其特征在于，

对以铜为主要成分的靶进行溅射，在所述玻璃基板上表面，以至少 在与所述玻璃基板直接紧贴的部分含有氧的方式，形成以铜为主要成分 的构成所述栅极电极的第一铜薄膜，

在将所述第一铜薄膜的上表面露出的所述玻璃基板配置在真空槽 内的状态下，向所述真空槽内导入含有氨气的处理气体，

在所述真空槽内部不产生等离子体的情况下，将所述第一铜薄膜的 上表面暴露在所述氨气中10秒以上30秒以下进行表面处理，然后，

在所述真空槽内导入添加了在化学结构中含有Si和H的硅化合物 气体和在化学结构中含有氮的含氮气体的原料气体，形成所述原料气体 的等离子体，在所述第一铜薄膜的上表面生长所述氮化硅薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

使所述真空槽内部的甲硅烷气体的分压为所述氨气的分压的1/15 以下进行所述表面处理。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

以所述真空槽内部的所述氨气的分压为60Pa以上的方式，导入所 述处理气体，进行所述表面处理。

4.一种制造薄膜晶体管的薄膜晶体管制造方法，该薄膜晶体管具 有：栅极电极；栅极绝缘膜，配置在所述栅极电极的上表面；半导体层， 配置在所述栅极绝缘膜上；源极电极，与所述半导体层接触；漏极电极， 与所述半导体层接触；绝缘膜，与所述漏极电极和所述源极电极接触， 由氮化硅膜构成，其特征在于，

对以铜为主要成分的靶进行溅射，在所述半导体层的上表面，以至 少在与所述半导体层直接紧贴的部分含有氧的方式，形成构成所述源极 电极和所述漏极电极的第二铜薄膜，

在将所述第二铜薄膜的上表面露出的处理对象物配置在真空槽内 的状态下，向所述真空槽内导入含有氨气的处理气体，

在所述真空槽内部不产生等离子体的情况下，将所述第二铜薄膜的 上表面分别暴露在所述氨气中10秒以上30秒以下进行表面处理，然后，

在所述真空槽内导入添加了在化学结构中含有Si和H的硅化合物 气体和在化学结构中含有氮的含氮气体的原料气体，形成所述原料气体 的等离子体，在所述第二铜薄膜的上表面生长所述氮化硅薄膜。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

使所述真空槽内部的甲硅烷气体的分压为所述氨气的分压的1/15 以下进行所述表面处理。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

以所述真空槽内部的所述氨气的分压为60Pa以上的方式，导入所 述处理气体，进行所述表面处理。

7.如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

所述半导体层具有第一、第二欧姆接触层，

所述源极电极与所述第一欧姆接触层接触，

所述漏极电极与所述第二欧姆接触层接触。