[发明专利]氢传感器

权利要求书

1.一种氢传感器，其特征在于，包括，

基板；

在所述基板上形成的薄膜层；

层积在所述薄膜层上并且在其与所述薄膜层之间存在有薄膜活性层的 缓冲层；

在所述缓冲层上层积，且一旦与空气中含有的氢气接触就将所述薄膜 层氢化并使所述薄膜层的光学反射率变化的催化剂层；

所述缓冲层具有通过与从所述薄膜层向所述催化剂层扩散的所述薄膜 层的成分结合抑制所述催化剂层的氧化的成分，

所述薄膜活性层具有在所述薄膜层内扩散，并促进所述薄膜层的氢化 的成分。

2.如权利要求1所述的氢传感器，其特征在于，所述薄膜层由镁系合 金或镁形成；

所述催化剂层形成为具有钯或白金。

3.如权利要求2所述的氢传感器，其特征在于，所述薄膜层由镁镍合 金、镁钛合金、镁铌合金、镁钴合金或镁锰合金形成。

4.如权利要求2所述的氢传感器，其特征在于，所述缓冲层具有通过 与从所述薄膜层向所述催化剂层扩散的镁结合而抑制起因于镁的所述催化 剂层的氧化的成分。

5.如权利要求4所述的氢传感器，其特征在于，所述缓冲层形成为具 有镍、钛、铌或钒。

6.如权利要求1所述的氢传感器，其特征在于，所述缓冲层的厚度是 1至5nm。

7.如权利要求1所述的氢传感器，其特征在于，所述薄膜活性层形成 为具有所述催化剂层所具有的成分。

8.如权利要求7所述的氢传感器，其特征在于，所述薄膜活性层形成 为具有钯或白金。

9.如权利要求1所述的氢传感器，其特征在于，所述薄膜层形成在所 述基板上，并且第一薄膜活性层介于所述薄膜层与所述基板之间，

所述缓冲层以使第二薄膜活性层介于其与所述薄膜层之间的方式层积 在所述薄膜层上，

所述第一以及第二薄膜活性层具有一旦与氢接触就将所述薄膜层氢化 并使所述薄膜层的光学反射率变化的成分。

10.如权利要求9所述的泄漏检查装置，其特征在于，所述第一及第 二薄膜活性层形成为具有所述催化剂层所具有的成分。

11.如权利要求10所述的泄漏检查装置，其特征在于，所述第一及第 二薄膜活性层形成为具有钯或白金。