[发明专利]放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法

权利要求书

1.一种放射性同位素制造装置，用于通过靶液和放射线之间的核反应制 造放射性同位素，其特征在于，具备：

放射线源，照射放射线；以及

靶，具有收容上述靶液的收容凹部；

上述收容凹部包括：用于导入从上述放射线源照射的放射线的开口；朝 向离开上述开口的方向凹陷以具有顶部的凹曲面；

上述靶配置成从上述放射线源照射的放射线的照射轴和上述凹曲面之间 的相交位置在上述顶部的下侧。

2.如权利要求1所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述靶配置成从上述放射线源照射的放射线的照射轴和上述凹曲面之间 的相交位置在上述顶部的正下方。

3.如权利要求1或2所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述凹曲面被设为球面状。

4.如权利要求1或2所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述靶具有：一方构成上述凹曲面、另一方构成凸曲面的薄壁壳状部； 以及以围绕上述薄壁壳状部的周围的方式支承上述薄壁壳状部的环状支承 部，

上述收容凹部由被上述薄壁壳状部和环状支承部围绕的空间构成。

5.如权利要求4所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述收容凹部还包括连接上述开口和上述凹曲面的内壁面，

上述环状支承部以围绕上述收容凹部的上述内壁面的至少一部分的方式 设有在朝向从上述放射线源照射的放射线的方向上凹陷的凹部。

6.如权利要求1所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

通过上述凹曲面的竖直方向上的中央并且平行于水平面的假想平面的上 侧的上述收容凹部的容积大于上述假想平面的下侧的上述收容凹部的容积。

7.如权利要求6所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述顶部位于上述假想平面的上侧。

8.如权利要求6或7所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

从自上述放射线源照射的放射线的照射轴看时，上述收容凹部的外形向 竖直方向呈长的环状。

9.如权利要求6或7所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

上述靶具有一方构成上述凹曲面、另一方构成凸曲面的薄壁壳状部，

上述放射性同位素制造装置还具备碗状部件，该碗状部件具有呈与上述 凸曲面对应的形状的对应凹曲面，并且配置成上述对应凹曲面与上述凸曲面 相对置；

上述碗状部件在底部形成有被开放于上述对应凹曲面侧且用于导入用于 冷却上述靶液的冷却液的开口，并且上述碗状部件设有暂时蓄积来自上述开 口的冷却液的暂时蓄积凹部。

10.如权利要求9所述的放射性同位素制造装置，其特征在于，

将连接上述暂时蓄积凹部的与上述对应凹曲面连接一侧的边缘上的任意 点P和上述暂时蓄积凹部的开口侧的边缘的该点P上的法线与从自上述放射 线源照射的放射线的照射轴看时的上述对应凹曲面的外边缘相交的点的、沿 着上述对应凹曲面的表面的距离设为点P处的沿面距离D时，上述暂时蓄积 凹部的开口侧的边缘上的实质上所有点处的沿面距离大致相同，上述法线是 从自上述放射线源照射的放射线的照射轴看时的法线。

11.一种放射性同位素的制造方法，其特征在于，具备：

准备权利要求1～10中的任一项所述的放射性同位素制造装置的工序；

循环用于冷却上述靶的冷却液的工序；

以在上述顶部的上侧且上述收容凹部内残留预定的空隙的方式，在上述 收容凹部内收容上述靶液的工序；以及

以上述照射轴和上述凹曲面之间的相交位置在上述顶部的下侧并且从上 述放射线源照射的放射线的照射区域在上述靶液范围内的方式，从上述放射 线源朝向上述靶照射放射线的工序。

12.如权利要求11所述的放射性同位素的制造方法，其特征在于，

在收容上述靶液的工序之后且在从上述放射线源朝向上述靶照射放射线 的工序之前，还具备将惰性气体供给到上述收容凹部内而对上述收容凹部内 进行加压的工序。