[发明专利]制造磁记录介质的方法以及磁记录和读取装置

权利要求书

1.一种制造磁记录介质的方法，所述磁记录介质具有磁性分离的磁记录图形，所述方法包括以下步骤：

在非磁性基底之上形成磁性层；以及

然后，将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化且使所述部分的磁特性改性，由此形成磁性分离的磁记录图形，

其中在使所述磁特性改性时，所述磁性层的暴露到反应性等离子体的所述部分的磁化强度量值被调整到其初始磁化强度量值的75％或更小；

在使所述磁特性改性时，所述磁性层的暴露到反应性等离子体的所述部分的矫顽力被调整到其初始矫顽力的50％或更小；

所述反应性等离子体为包括通过引入氧气而产生的氧离子的等离子体；且

所述反应性等离子体还包括氧原子，并且通过在所述反应性等离子体中包括的氧原子促进对所述磁性层的所述部分的非晶化。

2.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述反应性等离子体包括卤素离子。

3.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中所述磁性层的暴露到所述卤素离子的所述部分基本上不包括构成所述磁性层的物质的卤化物。

4.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中所述反应性等离子体包括氧和卤素。

5.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中在将所述磁性层的所述表面部分地暴露到反应性等离子体以使所述磁性层的所述部分的磁特性改性时，将所述磁性层暴露到包括氧的等离子体，然后将所述磁性层暴露到包括卤素的等离子体。

6.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，还包括在将所述磁性层的所述表面部分地暴露到反应性等离子体之前，将离子部分地注射到所述磁性层的所述表面。

7.根据权利要求6的制造磁记录介质的方法，其中所述注射的离子为氩离子或氮离子。

8.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中所述卤素离子是通过向所述反应性等离子体引入选自CF₄、SF₆、CHF₃、CCl₄和KBr的至少一种卤化的气体而形成的卤素离子。

9.根据权利要求2的制造磁记录介质的方法，其中所述卤素离子为F离子。

10.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中，在所述非磁性基底之上形成所述磁性层之后，在所述磁性层的所述表面上形成用于形成所述磁性分离的磁记录图形的抗蚀剂图形，然后，将未被所述抗蚀剂图形覆盖的部分暴露到所述反应性等离子体以使所述部分的磁特性改性，由此形成所述磁性分离的磁记录图形。

11.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中在所述磁性层上形成保护层之后形成抗蚀剂图形。

12.根据权利要求1的制造磁记录介质的方法，其中所述磁记录图形为垂直磁记录图形。

13.一种磁记录和读取装置，包括：

由根据权利要求1的制造磁记录介质的方法制造的磁记录介质；

驱动装置，其沿记录方向驱动所述磁记录介质；

磁头，其包括记录部分和读取部分；

系统，其使所述磁头相对于所述磁记录介质移动；以及

记录和读取信号处理单元，其将信号输入到所述磁头和从所述磁头读取输出信号。