[发明专利]有机EL器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL器件，其包括基板和在所述基板上形成的有机EL元件，其特征在于：

所述有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，

所述保护层由1个或多个无机膜构成，

所述1个或多个无机膜中的至少1个是含氢的氮化硅膜，

通过红外吸收光谱测定求出的所述含氢的氮化硅膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。

2.根据权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于：

所述保护层位于所述基板与所述下部电极之间。

3.根据权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于：

所述保护层位于所述上部电极的上表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件，其特征在于：

所述1个或多个无机膜各自的应力具有小于20MPa的绝对值。

5.根据权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于：

所述N-H键、Si-H键和Si-N键的伸缩模式的峰面积通过以下步骤求出：(a)测定以波数作为横轴的氮化硅膜的红外吸收光谱的步骤；(b)从得到的红外吸收光谱减去基线进行校正的步骤；(c)用高斯函数对所述N-H键、Si-H键和Si-N键的吸收进行峰分离的步骤；和(d)求出分离后的峰的面积的步骤，

所述N-H键的伸缩模式的峰面积由存在于3250～3400cm^-1的峰求出，所述Si-H键的伸缩模式的峰面积由存在于2100～2200cm^-1的峰求出，所述Si-N键的伸缩模式的峰面积由存在于830～870cm^-1的峰求出。

6.一种有机EL器件的制造方法，其特征在于，包括：

(1)准备基板的步骤；和

(2)形成由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成的有机EL元件的步骤，所述保护层由1个或多个无机膜构成，所述1个或多个无机膜中的至少1个是含氢的氮化硅膜，通过红外吸收光谱测定求出的所述含氢的氮化硅膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下，

在步骤(2)中，所述含氢的氮化硅膜通过对含有甲硅烷、氨气和氮气的混合气体施加25MHz以上60MHz以下的高频电力的化学气相沉积法形成，在此，氨气相对于甲硅烷的流量比为0.5以上1以下。