[发明专利]半导体晶片磨削方法和在其中使用的树脂组合物以及保护片

权利要求书

1.一种半导体晶片磨削方法，其特征在于，

(1)在半导体晶片的电路面侧，形成深度比晶片厚度小的槽；

(2)在整个面涂布形成树脂层的树脂组合物；

(3)隔着能够从所述半导体晶片剥离的树脂层设置保护片或固定用夹 具，照射可见光或紫外线，使由树脂组合物形成的层固化；

(3’)代替上述(2)及(3)，在涂布树脂组合物之后，照射可见 光或紫外线，使由树脂组合物形成的层固化，然后隔着能够从所述半导 体晶片剥离的树脂层设置保护片或固定用夹具；

(4)对所述半导体晶片的背面进行磨削，分割成单个芯片；

(5)将树脂层加热而除去。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片磨削方法，其中，

通过至少将树脂层加热至40～150℃，来除去树脂层。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片磨削方法，其中，

通过至少使树脂层与30～100℃的热水接触，来除去树脂层。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片磨削方法，其中，

保护片或固定用夹具具有透光性，树脂层由丙烯酸系树脂组合物形成。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片磨削方法，其中，

半导体晶片在电路面上具有30μm以上1000μm以下的凹凸。

6.根据权利要求4或者5所述的半导体晶片磨削方法，其中，

固定用夹具透过波长为365nm的光20％以上。

7.一种树脂组合物，在权利要求1～5中任意一项所述的半导体晶片 磨削方法中使用。

8.根据权利要求7所述的树脂组合物，其中，

含有(A)多官能(甲基)丙烯酸酯、(B)单官能(甲基)丙烯酸酯 以及(C)聚合引发剂，相对于(A)和(B)的总计量100质量份，含有 50～97质量份的(B)、0.1～20质量份的(C)。

9.根据权利要求8所述的树脂组合物，其中，

所述(A)和(B)均为疏水性。

10.根据权利要求8或者9所述的树脂组合物，其中，

所述(C)是光聚合引发剂。

11.一种保护片，在权利要求1～5中任意一项所述的半导体晶片磨削 方法中使用。

12.根据权利要求11所述的保护片，其中，

含有由乙烯乙酸乙烯酯形成的层至少一层以上。

13.根据权利要求11或12所述的保护片，其中，

表面具有粘合层。

14.根据权利要求13所述的保护片，其中，

粘合层由丙烯酸系树脂组合物形成。