[发明专利]磁性器件的制造方法和制造装置、以及磁性器件

权利要求书

1.一种磁性器件的制造方法，其通过在基底上形成包括由组成式Mn_100-X-M_X表示的L1₂有序相的反铁磁层而制造磁性器件，M为Ru、Rh、Ir及Pt中 的至少一种，X的取值范围为20(原子)％≤X≤30(原子)％，所述磁性 器件制造方法包括：

将所述基底放置在成膜室中；

将所述基底加热至预定温度；

将所述成膜室的压力减小至小于等于0.1Pa；且

在已减压的所述成膜室中，通过使用Kr和Xe中的至少一种对主要成 分为形成所述反铁磁层之元素的靶进行溅射，从而在所述基底上形成所述 反铁磁层。

2.如权利要求1所述的磁性器件制造方法，其中所述形成所述反铁磁层包括 在加热至100℃～400℃的所述基底上形成所述反铁磁层。

3.一种磁性器件制造装置，其通过在基底上形成包括由组成式Mn_100-X-M_X表示的L1₂有序相的反铁磁层而制造磁性器件，M为Ru、Rh、Ir及Pt中 的至少一种，X的取值范围为20(原子)％≤X≤30(原子)％，所述磁性 器件制造装置包括：

容纳所述基底的成膜室；

减小所述成膜室的压力的减压单元；

对所述成膜室中的所述基底进行加热的加热单元；

阴极，其包括主要成分为形成所述反铁磁层之元素的靶；

向所述成膜室供给Kr和Xe中至少一种的供给单元；

控制单元，其驱动所述加热单元以将所述基底加热至预定温度、驱动 所述减压单元以将所述成膜室的压力减小至小于等于0.1Pa、驱动所述供 给单元以向所述成膜室供给Kr和Xe中至少一种、及驱动所述阴极以对所 述靶进行溅射并且在已减压的所述成膜室中的所述基底上形成所述反铁 磁层。

4.如权利要求3所述的磁性器件制造装置，其中所述控制单元驱动所述加热 单元以将所述基底加热至100℃～400℃。

5.一种磁性器件，包括：

反铁磁层，其包括由组成式Mn_100-X-M_X表示的L1₂有序相，M为Ru、 Rh、Ir及Pt中的至少一种，X的取值范围为20(原子)％≤X≤30(原子) ％；

其中所述反铁磁层由如权利要求1或2所述的磁性器件制造方法制造。