[发明专利]用于可调MEMS电容器的控制器有效
申请号: | 200880019916.4 | 申请日: | 2008-06-09 |
公开(公告)号: | CN101682315A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 彼得·G·斯蒂内肯;克劳斯·赖曼 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H03J5/24 | 分类号: | H03J5/24;H01G5/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 可调 mems 电容器 控制器 | ||
1.一种MEMS可调电容器,包括
电容器的相对的第一和第二电极(10、12),其中,MEMS开关 可移动所述第二电极(12)以改变电容器电介质间隔,从而调节电容;
可调电介质材料(14)和不可调电介质材料串联在所述第一电极 和所述第二电极之间,其中,所述可调电介质材料占据电极间隔的第 一尺寸(gd),不可调电介质材料占据电极间隔的第二尺寸(g);
面向可移动的第二电极(12)的第三电极(20),用于电控制可 调电介质材料;以及
控制器,
其中,所述控制器适于改变所述电容器电介质间隔,以获得 MEMS可调电容器的电容调整的连续的第一范围,并调节所述可调电 介质材料(14),以获得MEMS可调电容器的电容调整的连续的第二 范围,从而提供包括所述第一范围和所述第二范围的连续的模拟调整 范围。
2.根据权利要求1所述的MEMS可调电容器,其中,当所述可 移动的第二电极(12)处于与最大电极间隔对应的位置时,所述电极 间隔的第二尺寸(g)小于总的有效激励电极间隔(g+gd)的三分之一, 其中所述总的有效激励电极间隔(g+gd)是所述电极间隔的第二尺寸 (g)和所述电极间隔的第一尺寸(gd)之和。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS可调电容器,其中,所述 可调电介质材料(14)是固体,所述不可调电介质材料是气体。
4.根据权利要求1或2所述的MEMS可调电容器,其中,所述 可调电介质材料(14)包括铁电体材料。
5.根据权利要求4所述的MEMS可调电容器,其中,所述可调 电介质材料(14)包括钛酸钡锶。
6.根据权利要求1或2所述的MEMS可调电容器,还包括ac RF 电压源(16),所述ac RF电压源(16)包括用于控制所述可调电介质 材料的dc部件。
7.根据权利要求1或2所述的MEMS可调电容器,还包括用于 控制MEMS开关的切换功能的dc电压源(18)。
8.根据权利要求1或2所述的MEMS可调电容器,其中,在静 态基底上提供所述第一电极(10)和第三电极(20),并且所述第二电 极(12)包括悬挂在所述静态基底之上的弹性结构。
9.根据权利要求8所述的MEMS可调电容器,其中,仅所述第 一电极(10)被所述可调电介质材料所覆盖。
10.根据权利要求8所述的MEMS可调电容器,其中,所述第 一电极(10)和第三电极(20)被所述可调电介质材料所覆盖。
11.根据权利要求8所述的MEMS可调电容器,其中,所述第一 电极(10)被所述可调电介质材料所覆盖,所述第三电极(20)被电 介质材料所覆盖。
12.根据权利要求11所述的MEMS可调电容器,其中,所述电 极间隔的第二尺寸(g)满足:g<(g2+gd2/εd2)/3
其中,g2是所述第二电极(12)和第三电极(20)之间的非电介 质间隔,gd2是覆盖所述第三电极(20)的电介质材料的电介质厚度, εd2是覆盖所述第三电极(20)的电介质材料的介电常数。
13.根据权利要求10所述的MEMS可调电容器,还包括仅在所 述第一电极(10)上方在可调电介质上提供的第四电极(100)。
14.根据权利要求11所述的MEMS可调电容器,还包括仅在所 述第一电极(10)上方在可调电介质上提供的第四电极(100)。
15.根据权利要求12所述的MEMS可调电容器,还包括仅在所 述第一电极(10)上方在可调电介质上提供的第四电极(100)。
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