[发明专利]具有电流引导结构的立式发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管LED，包括：

一金属基板；

一发光用LED堆迭，配置在该金属基板上，其中该LED堆迭包括一P 型半导体层及一N型半导体层，该P型半导体层位于该金属基板侧；

一N电极，配置在该N型半导体层上；及

一导电材料，接设于该金属基板和该N型半导体层之间，并且与该N 型半导体层形成一非欧姆接触。

2.如权利要求1所述的LED，其中该金属基板包括多重金属层。

3.如权利要求1所述的LED，其中该金属基板包括Cu、Ni、Ag、Au、 Al、Cu-Co、Ni-Co、Cu-W、Cu-Mo、Ge、Ni/Cu、Ni/Cu-Mo、或其合金其中 至少一者。

4.如权利要求1所述的LED，其中该金属基板的厚度范围是从10μm到 400μm。

5.如权利要求1所述的LED，更包括一P电极，该P电极插设于该金属 基板和该LED堆迭之间，其中该P电极包括第一和第二接触，该第一接触的 电阻高于该第二接触。

6.如权利要求5所述的LED，其中该第二接触包括Ag、Au、Al、Ag-Al、 Mg/Ag、Mg/Ag/Ni、Mg/Ag/Ni/Au、AgNi、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、 Ti/Al、Ni/Al、AuBe、AuGe、AuPd、AuPt、AuZn、铟锡氧化物、铟锌氧化物、 或合金其中至少一者，其中该合金包含Ag、Au、Al、Ni、Mg、Cr、Pt、Pd、 Rh、或Cu其中至少一者。

7.如权利要求5所述的LED，其中该第二接触包括一反射层。

8.如权利要求5所述的LED，其中该第一接触包括一阻隔金属层。

9.如权利要求5所述的LED，其中该第一接触包括多重金属层。

10.如权利要求5所述的LED，其中该第一接触包括Pt、Ta、W、W-Si、 Ni、Cr/Ni/Au、W/Au、Ta/Au、Ni/Au、Ti/Ni/Au、W-Si/Au、Cr/W/Au、Cr/W-Si/Au、 Pt/Au、Cr/Pt/Au、或Ta/Pt/Au其中至少一者。

11.如权利要求5所述的LED，其中该P电极包括一全向反射系统。

12.如权利要求1所述的LED，其中该导电材料包括多重金属层。

13.如权利要求1所述的LED，其中该导电材料包括Ni、Ag、Au、Al、 Mo、Pt、W、W-Si、Ta、Ti、Hf、Ge、Mg、Zn、W/Au、Ta/Au、Pt/Au、Ti/Au、 Ti/Al、Ti/Pt/Au、Ti/Ni/Au、Ta/Pt/Au、W-Si/Au、Cr/Au、Cr/Al、Ni/Au、Ni/Al、 Ni/Cu、Cr/Ni/Au、Cr/W/Au、Cr/W-Si/Au、Cr/Pt/Au、AuGe、AuZn、ITO、或 IZO其中至少一者。

14.如权利要求1所述的LED，其中该N型半导体层的表面是经图案化 或粗糙化的，以用来增加来自该LED的光提取。

15.如权利要求1所述的LED，更包括一电绝缘材料，介于该LED堆迭 和该导电材料之间。

16.如权利要求15所述的LED，其中该电绝缘材料包括SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、 Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅、旋转涂布玻璃、MgO及高分子其中至少一者。

17.如权利要求15所述的LED，其中该电绝缘材料包括SU-8。

18.如权利要求15所述的LED，其中该电绝缘材料包括热塑性塑胶。

19.如权利要求15所述的LED，其中该电绝缘材料包括聚酰亚胺及聚对 二甲苯其中至少一者。