[发明专利]用半导体制备薄片或薄膜的方法和装置

权利要求书

1.用切割工具切割半导体制备半导体薄膜尤其是硅薄膜的方法以下列工序为其特征：

a.准备好半导体(1、11)；

b.切割工具(2)接触半导体(1、11)；

c.在半导体(1、11)和切割工具(2)之间进行相对运动，以便从半导体(1、11)连续切割半导体薄膜(3、31、32)；

d.把已自由切割的半导体薄膜(3、31、32)的部分(8)从半导体(1、11)叉开，

e.必要时支撑切割的半导体薄膜(3、31、32)的已自由切割的部分(8)；

f.取下半导体薄膜的完全切割的部分并将其送到后续处理站或仓库。

2.按权利要求1的方法，其特征为，通过切割半导体棒(1)的一面(7)制备半导体薄膜(3、31、32)。

3.按权利要求1的方法，其特征为，通过切线切割半导体棒(11)的圆周面(7)制备半导体薄膜(3、31、32)。

4.按权利要求3的方法，其特征为，通过在半导体棒的圆周上多处交错的切线切割半导体棒(11)的圆周面制备半导体薄膜(3、31、32)。

5.按权利要求1的方法，其特征为，通过已切割的半导体薄膜(3、31、32)的部分从半导体(1、11)的叉开为切割工具(2)提供一个自由空间(6)。

6.按权利要求5的方法，其特征为，自由空间(6)由半导体(1、11)上的各面(7)、切割工具(2)的尖刃(9)的面(7)和已叉开的半导体薄膜(3、32)的面向半导体(1、11)的一面(8)构成。

7.按前述权利要求任一项的方法，其特征为，用强聚焦的脉冲激光束进行切割。

8.按前述权利要求任一项的方法，其特征为，用带有液体或气体腐蚀介质的探头进行切割。

9.按前述权利要求任一项的方法，其特征为，切割在真空中或特殊保护气氛中进行。

10.按前述权利要求任一项的方法，其特征为，聚焦激光束用于切割时，半导体材料产生变态，且变态了的半导体材料用液体或气体腐蚀介质去除。

11.按权利要求3的方法，其特征为，通过切线切割半导体棒(11)的圆周面(7)，可制备几乎任意长的半导体薄膜(3、31、32)。

12.按权利要求3或11的方法，其特征为，通过在半导体棒(11)的圆周上多处交错的切线切割，可同时制备几乎任意长的多个半导体薄膜。

13.按前述权利要求任一项的方法，其特征为，在工件温度高于200℃的情况下进行切割。

14.半导体薄膜尤其是硅薄膜的制备方法，其特征为，通过从半导体棒(11)的圆周面(7)的切线切割，实现半导体薄膜(3、31、32)的制备。

15.特别是用于实施权利要求1所述方法的装置，其特征为，该装置具有用于半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件并优先具有用于半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的支撑元件。

16.按权利要求15的装置，其特征为，半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件设计成拉力和/或压力元件并作用在半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分上。

17.按权利要求16的装置，其特征为，半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件设计成静电工作的元件并作用在半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分上。

18.按权利要求16的装置，其特征为，半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件设计成用负压或过压工作的元件并作用在半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分上。

19.按权利要求16的装置，其特征为，半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件设计成用真空工作的元件并作用在半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分上。

20.按权利要求16的装置，其特征为，半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分的叉开元件设计成用压缩气体工作的元件并作用在半导体薄膜(3、31、32)的自由切割部分上。