[发明专利]在非易失性存储器中的读取操作期间减小功耗有效
申请号: | 200880020461.8 | 申请日: | 2008-04-17 |
公开(公告)号: | CN101779247A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 迪帕克·C·塞卡;尼马·莫克莱西;霍克·C·索 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/04;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 中的 读取 操作 期间 减小 功耗 | ||
1.一种用于操作非易失性存储器的方法,包括:
连同对与第一字线相关的至少一个非易失性存储元件进行感测操作,确 定是否存在处于编程状态的与第二字线相关的至少一个非易失性存储元件;
当所述确定过程确定了存在处于编程状态的与第二字线相关的至少一个 非易失性存储元件时,在进行所述感测操作的同时向所述第二字线施加第一 电压;以及
当所述确定过程确定了不存在处于编程状态的与第二字线相关的至少一 个非易失性存储元件时,在进行所述感测操作的同时向所述第二字线施加第 二电压,所述第二电压低于所述第一电压。
2.根据权利要求1的方法,其中:
所述确定过程包括向第二字线施加电压,并确定与所述第二字线相关的 至少一个非易失性存储元件是否导通。
3.根据权利要求1的方法,还包括:
当所述确定过程确定了不存在处于编程状态的与第二字线相关的至少一 个非易失性存储元件时,在进行所述感测操作的同时,向按字线编程顺序在 所述第二字线之后的至少一个另外的字线施加第二电压。
4.根据权利要求1的方法,还包括:
在进行所述感测操作的同时,向按字线编程顺序在所述第一字线之前的 第三字线施加第一电压。
5.根据权利要求1的方法,还包括:
在进行了所述感测操作之后,在下述操作的同时,对与第三字线相关的 至少一个非易失性存储元件进行第二感测操作:(a)当所述确定过程确定了 存在处于编程状态的与第二字线相关的至少一个非易失性存储元件时,向所 述第二字线施加第一电压,或(b)当所述确定过程确定了不存在处于编程状 态的与第二字线相关的至少一个非易失性存储元件时,向所述第二字线施加 第二电压。
6.根据权利要求1的方法,其中:
所述第二字线处于在一组字线中的预定字线位置。
7.根据权利要求1的方法,其中:
所述第二字线处于在一组字线中的基于在该组字线中的第一字线的位置 的字线位置。
8.根据权利要求1的方法,其中:
所述感测操作包括读取操作。
9.根据权利要求1的方法,其中:
所述感测操作包括验证操作。
10.根据权利要求1的方法,其中:
所述确定过程包括存取指示是否存在处于编程状态的与第二字线相关的 至少一个非易失性存储元件的数据。
11.根据权利要求1的方法,其中,当所述确定过程确定存在处于编程 状态的与第二字线相关的至少一个非易失性存储元件时,所述方法还包括:
确定是否存在处于编程状态的与第三字线相关的至少一个非易失性存储 元件;
当确定了存在处于编程状态的与第三字线相关的至少一个非易失性存储 元件时,在进行所述感测操作的同时,向所述第三字线施加第一电压;以及
当确定了不存在处于编程状态的与第三字线相关的至少一个非易失性存 储元件时,在进行感测操作的同时,向所述第三字线施加第二电压。
12.根据权利要求11的方法,其中:
按字线编程顺序,所述第二字线在所述第一字线之后,且所述第三字线 在所述第二字线之后。
13.根据权利要求11的方法,其中:
所述第三字线与所述第二字线隔开了预定数量的字线。
14.根据权利要求11的方法,其中:
所述第三字线位于一组字线中的基于在该组字线中的第一字线的位置的 字线位置。
15.根据权利要求11的方法,其中:
所述第一和第三字线位于一组字线中的预定字线位置。
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