[发明专利]对单晶体进行晶体再取向的方法

权利要求书

1.一种改变一个单晶体的晶体取向的方法，包括：

表征该单晶体的一个晶体取向；

计算在该单晶体的一个选择的晶体方向与沿该单晶体的一个初始第一外部 主表面的平面的晶体方向的一个投影之间的一个取向偏离角；

将该单晶体固定在一个位置上，该位置沿一条第一轴线相对于该单晶体的初 始第一外部主表面是倾斜的，其中所述一条第一轴线由垂直于该单晶体的初始第 一外部主表面的一个方向限定；并且

从该初始第一外部主表面的至少一部分上去除材料以改变该取向偏离角；

其中，该单晶体在去除材料过程中沿所述第一轴线保持倾斜。

2.一种用于使一个单晶体进行晶体再取向的方法，包括：

通过使该单晶体的一个晶体取向与该单晶体的一个初始第一外部主表面的 取向相关联来表征该单晶体；

将该单晶体固定在一个位置上，该位置沿一条第一轴线相对于该单晶体的初 始第一外部主表面是倾斜的，其中所述一条第一轴线由垂直于该单晶体的初始第 一外部主表面的一个方向限定；并且

从所述初始第一外部主表面上去除材料以限定与该初始第一外部主表面不 平行的一个修整的第一外部主表面，以改变该单晶体的晶体取向；

其中，该单晶体在去除材料过程中沿所述第一轴线保持倾斜。

3.如权利要求1所述的方法，其中在从该初始第一外部主表面上去除材 料之前该取向偏离角是大于0.05°。

4.如权利要求1所述的方法，其中在从该初始第一外部主表面上去除材 料之后该取向偏离角是小于0.05°。

5.如权利要求1所述的方法，其中在去除材料的过程中，该取向偏离角 被改变了不小于0.01°的一个德尔塔(Δ)角。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中该单晶体包括一种氧化铝。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中该单晶体是蓝宝石。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中表征进一步包括将一个选定的晶 体平面与由该初始第一外部主表面所限定的一个平面进行比较、并且计算一个取 向偏离角。

9.如权利要求8所述的方法，其中该单晶体包括蓝宝石并且该选定的晶 体平面具有一个大致c-平面取向，该大致c-平面的取向包括以不大于5.0°的一个 倾斜角偏离该c-平面的一个倾斜。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中该单晶体包括一个片，其中该片 的一部分具有一个大致多边形的轮廓，该轮廓具有多个相对的总体上矩形的面以 及在这些相对的总体上矩形的面之间延伸并且连接它们的多个侧表面。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括在从该初始第一外部主表面 上去除材料之前将该片的至少一个侧表面平面化。

12.如权利要求2所述的方法，其中，去除材料包括用粘结的磨料进行研 磨。

13.如权利要求2所述的方法，其中将该单晶体固定在一个位置上进一步 包括在平行于该初始第一外部主表面的一个平面中旋转该单晶体。

14.一种用于改变一个单晶体的晶体取向的装置，包括：

被配置为将该单晶体固定在一个位置上的一个工作台，该工作台包括围绕至 少一条轴线的间隔倾斜能力，其中，所述位置沿一条第一轴线相对于该单晶体的 初始第一外部主表面是倾斜的，所述一条第一轴线由垂直于该单晶体的初始第一 外部主表面的一个方向限定；

指向该工作台的一个x-射线枪以及被放置为检测从该单晶体衍射的x-射线 的一个x-射线检测器；以及

被配置为叠置并且与叠置在该工作台上的一个单晶体相接合的一个研磨轮， 该研磨轮可围绕一个轴线旋转并且在沿着该轴线的方向上可平移；

其中，该单晶体在去除材料过程中沿所述第一轴线保持倾斜。