[发明专利]挠性配线单元及电子装置无效

专利信息
申请号: 200880020751.2 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101689391A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 及川昭 申请(专利权)人: 住友电木株式会社
主分类号: G11B21/02 分类号: G11B21/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑特强;付永莉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 挠性配线 单元 电子 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种扁平的挠性配线单元及利用该挠性配线单元的电子装置,该挠性配线单元包括:连续地形成为曲柄状的第一直线部、中间直线部以及第二直线部。

背景技术

当前,作为电子装置的实例的磁盘驱动单元构造为使头部单元平行于金属基部的上表面线性地往复运动。下面将参考图7描述这种电子装置的常规实例。

作为电子装置的实例的磁盘驱动单元100包括作为主要部件的金属基部110、头部单元120、头部移动机构(未示出)、磁盘驱动机构130、挠性配线单元200等。

如图7中的(a)所示,金属基部110为具有平坦上表面的板状。磁盘驱动机构130包括驱动马达131、磁盘保持件132等。

驱动马达131固定到金属基部110的上表面,使得驱动马达的轴向中心竖直地取向。磁盘保持件132由驱动马达131支撑以使该磁盘保持件可围绕其轴线旋转,并用于在与金属基部110的上表面平行的方向上保持磁盘介质140。

挠性配线单元200包括挠性基板210、连接件220、末端支撑构件230等。挠性基板210在前后方向上为细长形状,并向上弯曲为U形。

挠性基板210配备有附连到其顶部的头部单元120,并且该头部单元连接到内部配线(未示出)。连接件220附连到挠性基板210的末端部,并连接到内部配线。

末端支撑构件230安装在金属基部110的上表面上,并且挠性基板210的末端部附连到末端支撑构件230的上表面。驱动电路通过通讯电缆(未示出)设置到连接件220上。

在如此构造的磁盘驱动单元100中,磁盘驱动机构130旋转地驱动磁盘介质140,并且头部单元120沿磁盘介质140的径向且平行于磁盘介质的下表面往复运动。

驱动电路通过挠性配线单元200的挠性基板210设置到头部单元120,使得驱动电路通过头部单元120执行从磁盘介质140中读取数据和将数据写入到磁盘介质140中的操作。

在这种磁盘驱动单元100中,通常,挠性基板210为仅包括一层内部配线的单层结构。这为挠性基板210提供了足够的挠性,由此允许头部单元120平稳地运动。

由于末端支撑构件230设置在这种挠性配线单元200中的挠性基板210的末端部,因此,无论挠性基板的挠性如何,均可很容易地操作挠性基板210。

关于如上构造的电子装置,已提出了各种方案(例如,下面列出的专利文献1)。

[专利文献1]JP-A第2000-173200。

发明内容

在前面的磁盘驱动单元100中,往复运动的头部单元120和静止的驱动电路可通过挠性配线单元200的挠性基板210无干扰地进行有线通讯。

然而,在这种磁盘驱动单元100中,如图7中的(b)所示,头部单元120的运动使得与金属基部110相对的挠性基板210的下表面在前后方向上的长度发生变化。因此,由于挠性基板210与金属基部110之间的电容的波动,挠性基板210的阻抗也发生波动。

然而,最近开发的磁盘驱动单元设计为通过头部单元120在较低功率下以较高的信号频率读取和写入数据。因此,挠性基板210的阻抗的波动会使头部单元120在读取或写入数据时发生错误。

具体地,为了确保充分的柔性,连接到可移动的头部单元120的挠性基板210为单层结构。这种挠性基板210未配备屏蔽层,因而阻抗的波动显著。

本发明正是基于到前面的问题而提出,并且本发明提供了一种能够防止电子装置的头部单元的有线通讯发生错误的挠性配线单元和电子装置。

根据本发明,提供了一种挠性配线单元,包括:在前后方向上为细长形状的挠性基板,该挠性基板包括沿挠性基板的纵向设置的内部配线,并且该挠性基板向上弯曲为U形;附连到挠性基板的末端部并连接到内部配线的连接件;非导电性的末端支撑构件,其上表面连接到挠性基板的末端部;以及具有预定板厚的非导电性的基板间隔件,其设置为在挠性基板的顶部位于预定行程的前端的状态下时与挠性基板的整个下表面相对。

因此,在根据本发明的挠性配线单元中,头部单元例如可附连到挠性基板的顶部,并且末端支撑构件和基板间隔件安装在金属基部的上表面上。在这种构造下,可通过挠性基板进行有线通讯,而不会干扰往复运动的头部单元。头部单元的往复运动使得与金属基部相对的挠性基板的下表面在前后方向上的长度发生变化。然而,具有预定板厚的非导电性的基板间隔件始终插置在彼此相对的挠性基板的下表面与金属基部的上表面之间。这种结构将由挠性基板与金属基部之间的电容的波动所引起的挠性基板的阻抗的波动抑制在预定的范围内。

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