[发明专利]用于提高产量和减少晶片损坏的基座

权利要求书

1.一种基座，用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片，该晶 片具有正面、与所述正面相对的背面及围绕所述正面和背面延伸的圆周侧 面，该基座的尺寸和形状构造成用于被接纳在该室的内部空间内和用于支 承半导体晶片，该基座包括：

主体，该主体具有上表面和与该上表面相对的下表面；

凹槽，该凹槽沿着假想的中心轴线从所述上表面向下延伸到所述主体 内，所述凹槽的尺寸和形状构造成用于在其中容纳半导体晶片；

多个升降销开口，该开口从所述凹槽到下表面贯穿主体，所述多个升 降销开口的每一个的尺寸都构造成用于接纳升降销以便相对于所述凹槽选 择性地升起和降下晶片；和

中心开口，该中心开口沿着所述中心轴线从所述凹槽到下表面贯穿主 体。

2.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽包括总体面向主 体的上表面的表面。

3.如权利要求2所述的基座，其特征在于，所述表面从外边缘向下倾 斜到内边缘。

4.如权利要求3所述的基座，其特征在于，所述表面是凹面。

5.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽具有圆形形状。

6.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述中心开口具有圆形形 状。

7.如权利要求1所述的基座，其特征在于，基座主体的下表面包括多 个开口，所述多个开口的尺寸构造成并且定位成用于接纳基座支承件。

8.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽的深度为0.027 英寸。

9.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述凹槽表面的宽度为6 毫米。

10.一种基座，用于在具有内部空间的加热室中支承半导体晶片，该 晶片具有正面、背面和圆周边缘，该基座的尺寸和形状构造成用于在该室 的内部空间内支承半导体晶片，该基座包括：

上表面；

第一凹槽，该第一凹槽从上表面向下延伸并适合于容纳半导体晶片， 该第一凹槽包括总体是环形的第一壁和第一凸缘，该第一凸缘从第一壁朝 向该凹槽的中心延伸，该第一凸缘具有外周边和内周边，该第一凸缘具有 从该外周边到该内周边的向下斜面，以便有助于支承晶片；

第二凹槽，该第二凹槽从所述第一凹槽向下延伸，该第二凹槽包括总 体是环形的第二壁和第二凸缘，该第二凸缘从第二壁向内延伸；和

第三凹槽，该第三凹槽从第二凹槽向下延伸，该第三凹槽包括总体是 环形的第三壁和底面，该底面从第三壁向内延伸，所述第一、第二和第三 凹槽具有共同的中心轴线。

11.如权利要求10所述的基座，其特征在于，晶片的背面和第三凹槽 的底面之间的距离在0.005英寸和0.030英寸之间。

12.如权利要求10所述的基座，其特征在于，晶片的背面和第三凹槽 的底面之间的距离在0.008英寸和0.030英寸之间。

13.如权利要求10所述的基座，其特征在于，晶片的背面和第三凹槽 的底面之间的距离在0.010英寸和0.030英寸之间。

14.如权利要求10所述的基座，其特征在于，没有凹槽部分贯穿基座 到基座的下表面。

15.如权利要求10所述的基座，其特征在于，第二凹槽的凸缘总体倾 斜或凹入，所述总体是环形的第二壁的底部和所述总体是环形的第三壁的 顶部之间的垂直距离不超过0.010英寸。

16.如权利要求10所述的基座，其特征在于，晶片放置在基座上，以 便所述圆周边缘或背面的邻近该边缘的区域与第一凸缘接触。

17.如权利要求10所述的基座，其特征在于，所述凹槽总体为圆形。