[发明专利]基于多层的电活性膜的制造有效
申请号: | 200880020805.5 | 申请日: | 2008-04-17 |
公开(公告)号: | CN101681938A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 奈杰尔·皮克特;詹姆斯·哈里斯 | 申请(专利权)人: | 纳米技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王 旭 |
地址: | 英国曼*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 多层 活性 制造 | ||
1.一种制造膜的方法,所述方法包括以下步骤:
a.提供基底和多种可流动的印刷组合物,每一种所述可流动的印刷 组合物都包含不同的预先制备的具有特定元素组成的纳米粒子的分散体, 并且所述纳米粒子的平均尺寸为不大于100nm;
b.将所述印刷组合物中的一种的层印刷到所述基底上;
c.将所述层退火以形成连续膜;和
d.用另一种或同一种印刷组合物重复步骤(b)和(c)以形成膜,
其中所述印刷组合物包含载体和在所述载体中的纳米粒子的分散体, 所述的纳米粒子具有与该纳米粒子的表面原子配位的封端剂,所述纳米粒 子包含第一组分和第二组分,所述第一组分包含Cu或Ag中的至少一种, 所述第二组分包含Se、Te或S中的至少一种,所述组合物的粘度不依赖 于流速。
2.权利要求1所述的方法,其中所述纳米粒子还包含第三组分,所 述第三组分包含In、Ga或Al中的至少一种。
3.权利要求1或2所述的方法,其中所述第一组分包含Cu或Ag, 但不同时包含这二者。
4.权利要求1所述的方法,其中所述第二组分仅包含元素Se、Te 或S中的一种。
5.权利要求1所述的方法,其中所述层中的至少一些的厚度小于1 μm。
6.权利要求1所述的方法,所述方法还包括在步骤(c)之前重复步骤 (b)至少一次。
7.权利要求1所述的方法,所述方法还包括在印刷之后且在退火之 前进行蚀刻的步骤。
8.权利要求1所述的方法,还包括从所述的纳米粒子除去封端剂。
9.权利要求1所述的方法,其中所述印刷组合物是悬浮液。
10.权利要求1所述的方法,其中所述印刷组合物是溶液。
11.权利要求1所述的方法,其中所述印刷步骤通过选自由以下各项 组成的组中的印刷技术进行:喷墨印刷、气动喷雾、丝网印刷、凹版移印、 激光印刷、点阵印刷、感热式印刷、平版印刷术或3D印刷。
12.权利要求1所述的方法,其中每一种印刷组合物都包含不同类型 的纳米粒子。
13.权利要求1所述的方法,其中所述印刷组合物的至少一些含有比 例不同的同一类型的纳米粒子,涂覆所述层以建立贯穿膜的至少一种材料 的浓度梯度。
14.权利要求1所述的方法,其中每一种组合物的所述纳米粒子都包 含比例不同的相同元素,涂覆所述层以建立贯穿膜的至少一种材料的浓度 梯度。
15.权利要求14所述的方法,其中第一组纳米粒子包含 CuIn1-xGaxSe2,其中0≤x≤1,并且x取决于印刷组合物而变化。
16.权利要求1所述的方法,其中所述纳米粒子具有不大于20nm 的尺寸和低尺寸分散性。
17.权利要求1所述的方法,其中所述膜包含半导体并且与所述基底 电相互作用。
18.权利要求17所述的方法,所述方法还包括添加导电覆盖层和外 接触以制备半导体器件。
19.权利要求18所述的方法,其中所述半导体器件是太阳能电池。
20.权利要求1所述的方法,其中在适于从所述的纳米粒子除去一些 或全部封端剂的条件下进行退火过程。
21.一种可流动的印刷组合物,所述印刷组合物包含载体和在所述载 体中的纳米粒子的分散体,所述的纳米粒子具有与该纳米粒子的表面原子 配位的封端剂,所述纳米粒子包含第一组分和第二组分,所述第一组分包 含Cu或Ag中的至少一种,所述第二组分包含Se、Te或S中的至少一种, 所述组合物的粘度不依赖于流速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的