[发明专利]磁性体的制造方法有效
申请号: | 200880020908.1 | 申请日: | 2008-06-27 |
公开(公告)号: | CN101681720A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 船越七郎;大岛正树;池田克弥;宋满镐 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01F41/04 | 分类号: | H01F41/04;H01F41/02 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种磁性体的制造方法,尤其涉及一种在表面具有布线的磁性体的制造方法。
背景技术
由本发明的磁性体的制造方法制造的磁性体说的是具有电感器的元件,也称为电感器或变压器。这种磁性体可以通过在成形空间中堆积由绝缘体薄层所覆盖的铁粒子形成的绝缘磁性粉末之后,对该绝缘磁性粉末进行挤压成形而形成(例如,参照专利文献1及2)。
此时,由于绝缘磁性粉末具有绝缘性,所以制造的磁性体也具有绝缘性。因此,能够在磁性体的表面上直接形成所期望图形的布线,进而可以在该布线上实装电子元件、半导体元件、IC芯片等电子器件。
那么,形成在磁性体表面上的布线可以如下形成。即,首先在磁性体的表面整个面上形成例如铜箔,其后对该铜箔施以蚀刻以形成具有所期望图形的布线。
专利文献1:日本国特开2007-13176号公报
专利文献2:日本国特开2006-283190号公报
但是,在上述的现有磁性体的制造方法中,由于绝缘磁性粉末对蚀刻液的抗蚀性差,所以在对铜箔施以蚀刻时,绝缘磁性粉末被腐蚀,存在很难制造可靠性高的磁性体的问题。
发明内容
本发明是为解决上述问题而进行的,其在于提供一种磁性体的制造方法,通过防止绝缘磁性粉末腐蚀,可制造可靠性高的磁性体。
(1)本发明的磁性体的制造方法是为达成上述目的而提出的,是在成形空 间中堆积绝缘磁性粉末并挤压成形,在通过该挤压成形而固化的表面上形成布线的磁性体的制造方法,其为,依次包括:第1工序,准备布线基材,其具有薄板状基材和形成在该基材上并能够从该基材脱离的布线;第2工序,在所述成形空间中堆积所述绝缘磁性粉末后,在所述绝缘磁性粉末的表面以所述布线与其相对的形式配置该布线基材,并将它们挤压成形;及第3工序,从固化的所述绝缘磁性粉末表面留下所述布线并去掉所述基材。
因此,根据本发明的磁性体的制造方法,通过在第3工序中从绝缘磁性粉末表面留下布线并去掉基材,可以在磁性体表面上形成所期望图形的布线。其结果为,由于不需要像以往那样对形成在磁性体表面上的导电膜施以蚀刻,所以能够防止绝缘磁性粉末腐蚀,可制造可靠性高的磁性体。
(2)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述布线基材为如下形成的布线基材,通过在所述基材上形成导电膜之后,对所述导电膜施以所期望图形的蚀刻以形成所述布线。
通过这种方法,可以使用预先在基材上形成有所期望图形的布线的布线基材,来制造可靠性高且高性能的磁性体。
(3)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述布线的平均表面粗糙度大于所述绝缘磁性粉末的平均粒径。
通过这种方法,在第2工序中,绝缘磁性粉末排列为填埋布线表面的凹凸。因此,能够提高磁性体与布线的密合度,进而可制造可靠性高的磁性体。
(4)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述布线由金属箔形成。
通过这种方法,能够形成电阻低且机械强度高的布线,进而可制造高性能且可靠性高的磁性体。
(5)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述金属箔为铜箔。
由于铜箔具有高延展性,所以通过上述方法,在第2工序中,不仅仅绝缘磁性粉末排列为填埋布线表面的凹凸,铜箔也塑性变形为填埋绝缘磁性粉末间的间隙。因此,可以进一步提高磁性体与布线的密合度,进而可制造可靠性更高的磁性体。
(6)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述基材由树脂形成。
由于树脂具有适度的柔软性,所以通过上述方法,可以提高揭去基材时的 操作性。
(7)在本发明的磁性体的制造方法中,优选所述第2工序依次包括:预冲压工序,在所述成形空间中堆积所述绝缘磁性粉末的状态下进行预冲压成形,使所述绝缘磁性粉末的表面平坦化;及正式冲压工序,在所述绝缘磁性粉末的表面,在以所述布线与其相对的形式配置所述布线基材的状态下,以高于所述预冲压成形的冲压力进行挤压成形。
通过这种方法,由于可以在通过预冲压工序使绝缘磁性粉末表面平坦化之后,在该绝缘磁性粉末上配置布线基材,所以可制造以均匀的挤压力形成有布线的高性能的磁性体。
附图说明
图1是表示用于说明根据实施方式的磁性体的制造方法制造的磁性体10的图。
图2是表示用于说明实施方式的磁性体的制造方法的流程图。
图3是表示用于说明实施方式的磁性体的制造方法的第1工序S10的图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社,未经新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880020908.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。