[发明专利]SOI芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200880021034.1 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101689478A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 横川功;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 芯片 制造 方法 | ||
1.一种SOI芯片的制造方法，是至少具有形成硅外延层的步骤，而在除 去未结合部分而露出来的基底芯片的外周部区域即平台部具有氧化膜的SOI 芯片的SOI层的整个面上，形成硅外延层，该SOI芯片的制造方法的特征在 于：
作为用以形成前述硅外延层并在平台部具有氧化膜的SOI芯片，是使用 一种具备根据离子注入剥离法被薄膜化而成的SOI层的SOI芯片，
在形成前述硅外延层的步骤之前，先实行洗净步骤来除去存在于SOI芯 片的平台部上的硅薄片，该SOI芯片在前述平台部具有氧化膜，
将氯化氢气体混入用以形成前述硅外延层时的反应气体中。
2.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其中相对于前述反应气体 的流量，将前述氯化氢气体的流量设为1％以上。
3.如权利要求1所述的SOI芯片的制造方法，其中在形成前述硅外延层 的步骤中，在使作为前述反应气体的原料气体流入反应器内之前，先使氯化 氢气体流动规定时间。
4.如权利要求2所述的SOI芯片的制造方法，其中在形成前述硅外延层 的步骤中，在使作为前述反应气体的原料气体流入反应器内之前，先使氯化 氢气体流动规定时间。
5.如权利要求1～4中任一项所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述 洗净步骤中，采用含有氢氟酸的水溶液来作为用以除去前述硅薄片的洗净 液，并以使前述SOI芯片所具备的背面氧化膜残留下来的方式，来进行洗净。
6如权利要求5所述的SOI芯片的制造方法，其中在前述洗净步骤中， 将前述平台部的氧化膜厚度的减少量，调整成40nm以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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