[发明专利]电子元件及其制造方法有效
申请号: | 200880021054.9 | 申请日: | 2008-06-18 |
公开(公告)号: | CN101689603A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 雷德弗尔道斯·胡尔库思 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张浴月;刘文意 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子元件,该电子元件包括:
一第一电极;
一第二电极;
一转换结构,电性耦接于该第一电极和该第二电极之间,该转换结构经 由加热方式在至少两个状态之间转换,且在该至少两个状态中的不同状态具 有不同的电特性;
其中该转换结构包括分别连接至该第一电极和该第二电极的末端部分, 以及包括介于该末端部分之间的一线部分,该线部分具有一较该末端部分小 的厚度;
其中该转换结构依据该第一电极和该第二电极设置,以便在该至少两个 状态中的一个状态中,该线部分具有仅沿该线部分的一部分延伸的一非晶点, 其中当该第一电极指定为一阳极时,该线部分只有一个部分被设置与该第二 电极部分重叠,使该非晶点朝该第一电极移动,且其中通过与该第一电极部 分重叠的该末端部分固定该线部分的该非晶点的一边缘。
2.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构在该至少两个状态中 的至少一个状态为导电的。
3.如权利要求1所述的电子元件,包括一电感测电路,其用以感测该转 换结构在该至少两个状态中的各不同状态中的不同电特性。
4.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构用以使得在该至少两 个状态中的一个状态为该转换结构的结晶相。
5.如权利要求1所述的电子元件,包括一晶体管的一开关,电性耦接至 该转换结构。
6.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构依据该第一电极和该 第二电极对称设置。
7.如权利要求6所述的电子元件,其中该第一电极和该第二电极的选自 于由形状、面积以及材质所组成的群组的至少一个为完全相同。
8.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构为一镜面对称结构。
9.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构为一非镜面对称结构。
10.如权利要求1所述的电子元件,其中该线部分的至少一部分设置成 与该第一电极和该第二电极的至少一个部分重叠。
11.如权利要求1所述的电子元件,其中该第一电极和该第二电极的至 少一个包括一宽部分和窄于该宽部分的一窄部分,其中该窄部分与该线部分 的一部分部分重叠。
12.如权利要求1所述的电子元件,其中该第一电极和该第二电极的至 少一个的形状为选自于由一长方形以及一L形所组成的群组的其中之一。
13.如权利要求1所述的电子元件,其中该转换结构的形状为选自于由 一狗骨头形、一杠铃形以及一U形所组成的群组的其中之一。
14.如权利要求1所述的电子元件,其为选自于由一存储器元件、一存 储器阵列、一促动器、一微机电结构、一控制器以及一开关所组成的群组的 其中之一。
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