[发明专利]非水系二次电池用隔膜、其制造方法和非水系二次电池无效
申请号: | 200880021290.0 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101689624A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 西川聪;吉富孝;车金柱;大道高弘 | 申请(专利权)人: | 帝人株式会社 |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;孙秀武 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 水系 二次 电池 隔膜 制造 方法 | ||
1.非水系二次电池用隔膜,为具备聚烯烃微多孔膜、和层压于该聚烯烃微多孔膜的至少一个表面的包含耐热性树脂的耐热性多孔层的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,
含有无机填料,所述无机填料包含在200℃以上400℃以下的温度发生脱水反应的金属氢氧化物。
2.如权利要求1所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述金属氢氧化物为氢氧化铝和氢氧化镁的中的至少一种。
3.如权利要求2所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述金属氢氧化物为氢氧化铝。
4.如权利要求1~3的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述无机填料的平均粒径为0.1μm以上1μm以下的范围。
5.如权利要求1~4的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性多孔层含有前述无机填料。
6.如权利要求5所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性多孔层含有前述无机填料50重量%以上95重量%以下。
7.如权利要求1~6的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性树脂为全芳香族聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚砜、聚酮、聚醚酮、聚醚酰亚胺和纤维素中的至少1种。
8.如权利要求7所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性树脂为间位型芳香族聚酰胺。
9.如权利要求1~8的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述非水系二次电池用隔膜的膜厚为25μm以下,前述聚乙烯微多孔膜的厚度为5μm以上,前述耐热性多孔层的厚度为2μm以上。
10.如权利要求1~9的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性多孔层的孔隙度为60%以上90%以下。
11.如权利要求1~10的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性多孔层被覆于聚乙烯微多孔膜的两面。
12.如权利要求1~11的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性树脂的分子量分布Mw/Mn为5≤Mw/Mn≤100,且重量平均分子量Mw为8.0×103以上1.0×106以下。
13.如权利要求1~12的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性树脂含有分子量为8000以下的低分子量聚合物1重量%以上15重量%以下。
14.如权利要求7所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述耐热性树脂为全芳香族聚酰胺,该全芳香族聚酰胺的末端基团浓度比为[COOX]/[NH2]≥1(X表示氢、碱金属或碱土类金属)。
15.如权利要求1~14的任一项所述的非水系二次电池用隔膜,其特征在于,前述无机填料满足下述(a)和(b):
(a)0.1≤d50≤1(μm)
(b)0<α≤2
(其中,d50在激光衍射式中的粒度分布中,表示由小的粒子侧起算的重量累计50重量%的平均粒子直径(μm)。α表示无机填料的均一性,用α=(d90-d10)/d50来表示。d90在激光衍射式中的粒度分布中,表示由小的粒子侧起算的重量累计90重量%的平均粒子直径(μm)。d10在激光衍射式中的粒度分布中,表示由小的粒子侧起算的重量累计10重量%的平均粒子直径(μm)。)
16.非水系二次电池用隔膜的制造方法,为具备聚烯烃微多孔膜、和层压于该聚烯烃微多孔膜的至少一个表面的包含耐热性树脂的耐热性多孔层的非水系二次电池用隔膜的制造方法,其特征在于,
(i)将耐热性树脂溶解于溶剂,在其中分散包含200℃以上400℃以下的温度下发生脱水反应的金属氢氧化物的无机填料,制备涂工用浆料的工序,
(ii)将前述浆料涂工于聚烯烃微多孔膜的至少一个表面的工序,
(iii)使涂工有前述浆料的聚烯烃微多孔膜浸渍于可以使前述耐热性树脂凝固的凝固液中的工序,
(iv)通过水洗来除去前述凝固液的工序,和
(v)干燥水的工序。
17.非水系二次电池,为具备正极、负极、设置于这些电极之间的隔膜、和非水系的电解液的非水系二次电池,其特征在于,
前述隔膜为权利要求1~15的任一项所述的非水系二次电池用隔膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帝人株式会社,未经帝人株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880021290.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:为用户分配应答信道的方法、装置和系统
- 下一篇:光刻设备和器件制造方法