[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片(1)，具有：

-辐射穿通面(3)，

-接触金属化物(2a)，其被施加到辐射穿通面(3)上，以 及

-第一反射性层序列(2b)，其被施加到接触金属化物(2a) 的背离辐射穿通面(3)的表面上，其中反射性层序列(2b)设 计用于对朝着接触金属化物(2a)向回反射的电磁辐射进行反射，

其中，至少一个电流分布轨(9)被施加到辐射穿通面(3) 上，其中所述电流分布轨(9)导电地与接触金属化物(2a)相 连，并且

所述电流分布轨(9)具有电流分布金属化物(9a)以及第 二反射性层序列(9b)，所述第二反射性层序列(9b)被施加到 电流分布金属化物(9a)的背离辐射穿通面(3)的表面上，其 中第二反射性层序列(9b)设计用于对朝着电流分布金属化物 (9a)向回反射的电磁辐射进行反射。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第一反 射性层序列(2b)包括至少一个如下层：所述层包含金属。

3.根据权利要求2所述的光电子半导体芯片，其中第一反 射性层序列(2b)包括至少一个如下层(22)：所述层包含金属 铝、银的至少之一。

4.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第一反 射性层序列(2b)包括至少一个如下层(22)：所述层包含介电 材料。

5.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第一反 射性层序列(2b)形成布拉格反射器。

6.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第二反 射性层序列(9b)包括至少一个如下层：所述层包含金属，尤其 是铝和/或银。

7.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第二反 射性层序列(9b)包括至少一个如下层(99)：所述层包含介电 材料。

8.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中第二反 射性层序列(9b)形成布拉格反射器。

9.一种光电子半导体器件，具有：

-根据权利要求1所述的光电子半导体芯片(1)，以及

-在发射方向上设置在光电子半导体芯片(1)之后的光学 滤波元件(11)，该光学滤波元件适合于透射具有第一辐射特性 的第一辐射成分而反射具有与第一辐射特性不同的第二辐射特 性的第二辐射成分。

10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中光学滤 波元件(11)包括二色性滤波器。

11.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中光学滤 波元件(11)包括偏振滤波器。

12.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中光学滤 波元件(11)包括角度滤波器。

13.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中光学滤 波元件(11)包括发光转换材料。