[发明专利]利用正向偏置的二极管编程方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储单元的方法，包括：

提供所述非易失性存储单元，所述非易失性存储单元包括以第一电阻率、未编程状态制造的二极管；以及

向所述二极管施加具有比编程所述二极管所需的最小电压更大量级的正向偏置，以将所述二极管变换到第二电阻率、编程状态，其中所述第二电阻率状态比第一电阻率状态低。

2.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述正向偏置的步骤包括施加至少5伏的正向偏置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中施加所述正向偏置的步骤包括施加约8伏到约12伏的正向偏置。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括感测所述二极管的电阻率状态做为所述存储单元的数据状态。

5.根据权利要求4所述的方法，其中感测步骤包括感测至少+1.5伏的读取电压下的至少3.5x10^-5安的读取电流。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括向所述二极管施加反向偏置以将所述二极管变换到第三电阻率、未编程状态，其中所述第三电阻率状态高于所述第二电阻率状态；以及

向所述二极管施加正向偏置以将所述二极管变换到第四电阻率、编程状态，其中所述第四电阻率状态低于所述第三电阻率状态。

7.根据权利要求6所述的方法，其中施加所述正向偏置的步骤包括在制造所述存储单元的工厂施加所述正向偏置；并且

在所述存储单元离开制造所述存储单元的工厂之后，所述存储单元的用户执行施加所述反向偏置的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储单元主要由所述二极管和电接触所述二极管的第一导电电极和第二导电电极构成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储单元主要由第一导电电极和第二导电电极、所述二极管和反熔丝构成；

所述二极管和所述反熔丝在所述第一导电电极和所述第二导电电极之间串连；并且

施加所述正向偏置的步骤包括在所述第一导电电极和所述第二导电电极之间施加至少8伏的正向偏置以形成突破所述反熔丝的介电层的导电链路。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述二极管包括多晶半导体p-i-n二极管。