[发明专利]用于最小化等离子径向非一致性的导电元件阵列有效
申请号: | 200880022523.9 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101720502A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 尼尔·本杰明 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 最小化 等离子 径向 一致性 导电 元件 阵列 | ||
1.一种能够在基片处理过程中局部控制具有等离子处理室的等离子处理系统内的功率传送的装置,包括:
介电窗;和
电感布置,其设在该介电窗上方以使得所述等离子处理系统内功率能与等离子耦合,其中所述电感布置包括一组电感元件,该组电感元件提供对功率传送的所述局部控制以在所述等离子处理室中创建基本上一致的等离子。
2.根据权利要求1所述的装置,其中该组电感元件的电感元件是多种几何形状之一以促进电流,其中所述多种几何形状包括带片形状,其中所述带片形状的电感元件具有正极和负极,
蛇形形状,其中所述蛇形形状包括具有多个弯曲的抗旋转电感元件的链接阵列,其中所述多个弯曲的邻近弯曲的电流在相反方向流动,以及
环形形状,其中所述环形形状包括方环和圆环之一。
3.根据权利要求2所述的装置,其中该组电感元件布置为多种构造之一以大大降低该组电感元件的电感元件之间的耦合并且支持对功率传送的所述局部控制,所述多种构造包括
分段环形布置,
梯形网络布置,
环形阵列布置,
面心布置,
六角密集环布置,以及
同心环布置。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述分段环形布置的各电感元件包括一对极,其中该对极的第一极连接到中心并且该对极的第二极连接到同轴电缆以促进从所述第二极到所述第一极的电流。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述分段环形布置的邻近电感元件耦合在一起以创建沿所述分段环形布置的水平电流。
6.根据权利要求3所述的装置,其中所述梯形网络布置的一对电感元件并联布置,其中该对电感元件建立推拉效应,其中来自该对电感元件的第一电感元件的电流与来自该对电感元件的第二电感元件的电流相反流动。
7.根据权利要求6所述的布置,其中该组电感元件的第一对电感元件与该组电感元件的第二对电感元件分开至少所述介电窗厚度、鞘厚度和表皮深度厚度。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述梯形网络布置配置为包括同轴线。
9.根据权利要求3所述的装置,其中环形阵列布置的该组电感元件布置为环。
10.根据权利要求9所述的装置,其中该组电感元件的邻近电感元件布置为生成相同方向的电流以创建全局水平旋转电流。
11.根据权利要求9所述的装置,其中所述环形阵列布置的每两个邻近电感元件的电流在相反方向流动以创建推拉电流。
12.根据权利要求9所述的装置,其中所述环形阵列布置的各电感元件与所述环形阵列布置的另一电感元件至少分开所述介电窗厚度、鞘厚度和表皮深度厚度的距离以使得邻近电感元件之间的耦合最小并能够进行对功率传送的所述局部控制。
13.根据权利要求3所述的装置,其中具有所述面心布置的该组电感元件布置成带有偏移中心的笛卡尔布置。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述面心布置的每两个邻近电感元件的电流在相同方向流动以创建全局水平旋转电流。
15.根据权利要求13所述的装置,其中所述面心布置的各电感元件的电流在相对所述面心布置的邻近电感元件中电流的相反方向流动以创建推拉电流。
16.根据权利要求13所述的装置,其中所述面心布置内的各电感元件与所述面心布置的另一电感元件分开至少所述介电窗厚度、鞘厚度和表皮深度厚度的距离以使得邻近电感元件之间的耦合最小并能够进行对功率传送的所述局部控制。
17.根据权利要求3所述的装置,其中具有所述六角密集环布置的该组电感元件布置成环形空间布置。
18.根据权利要求17所述的装置,其中该组电感元件的各电感元件与所述六角密集环布置的另一电感元件分开至少所述介电窗厚度、鞘厚度和表皮深度厚度的距离以使得邻近电感元件之间的耦合最小并能够进行对功率传送的所述局部控制。
19.根据权利要求1所述的装置,其中该组电感元件为同心环布置,其中所述同心环布置包括中心和一系列同心环。
20.根据权利要求19所述的装置,其中该组电感元件的各电感元件与所述同心环布置的另一电感元件分开至少所述介电窗厚度、鞘厚度和表皮深度厚度的距离以使得邻近电感元件之间的耦合最小以及能够进行对功率传送的所述局部控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造